Радиационное дефектообразование в кристаллах MgO при облучении ионными пучками различных элементов

Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Coauteur: Томский политехнический университет (ТПУ)
Andere auteurs: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович, Франгульян Т. С. Тамара Семёновна
Samenvatting:Деп. в ВИНИТИ 29.04.97, № 1448-В97
Исследована эффективность образования центров окраски в кристаллах MgO при их облучении ускоренными ионами газов (O+, N+, Ar+), металлов (Fe+, Al+) и металлоида (Si+). Показано, что при облучении кристаллов ионами газов, с ростом дозы облучения поглощение при 5,7 эВ превосходит F-поглощение и очень низка эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. При облучении образцов ионами металлов или металлоидов F-поглощение превалирует над коротковолновым поглощением и выше эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. Сравнительный анализ показал, что в случае облучения образцов ионами металлов и металлодов эффективность образования F+-центров существенно выше, чем при облучении ионами газов. Полученные закономерности объясняются различием в химич. свойствах имплантируемых в MgO ионов, которое определяет их различное положение в кристаллич. решетке.
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Gepubliceerd in: Томск, 1997
Onderwerpen:
Formaat: Boek
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=599785