Радиационное дефектообразование в кристаллах MgO при облучении ионными пучками различных элементов
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Autor Corporativo: | |
| Outros autores: | , |
| Summary: | Деп. в ВИНИТИ 29.04.97, № 1448-В97 Исследована эффективность образования центров окраски в кристаллах MgO при их облучении ускоренными ионами газов (O+, N+, Ar+), металлов (Fe+, Al+) и металлоида (Si+). Показано, что при облучении кристаллов ионами газов, с ростом дозы облучения поглощение при 5,7 эВ превосходит F-поглощение и очень низка эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. При облучении образцов ионами металлов или металлоидов F-поглощение превалирует над коротковолновым поглощением и выше эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. Сравнительный анализ показал, что в случае облучения образцов ионами металлов и металлодов эффективность образования F+-центров существенно выше, чем при облучении ионами газов. Полученные закономерности объясняются различием в химич. свойствах имплантируемых в MgO ионов, которое определяет их различное положение в кристаллич. решетке. В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
Томск, 1997
|
| Subjects: | |
| Formato: | Libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=599785 |
MARC
| LEADER | 00000nam0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 599785 | ||
| 005 | 20231101132056.0 | ||
| 029 | 0 | 0 | |a RU |b 1448-В97 |f ВИНИТИ |
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\23921 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\20769 | ||
| 090 | |a 599785 | ||
| 100 | |a 20131108j19970803k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 000zy | ||
| 200 | 1 | |a Радиационное дефектообразование в кристаллах MgO при облучении ионными пучками различных элементов |f Ю. М. Анненков, В. Ф. Пичугин, Т. С. Франгульян |g Томский политехнический университет (ТПУ) | |
| 210 | |a Томск |d 1997 | ||
| 215 | |a 10 с. |c ил. | ||
| 300 | |a Деп. в ВИНИТИ 29.04.97, № 1448-В97 | ||
| 320 | |a Библиогр.: 15 назв. | ||
| 330 | |a Исследована эффективность образования центров окраски в кристаллах MgO при их облучении ускоренными ионами газов (O+, N+, Ar+), металлов (Fe+, Al+) и металлоида (Si+). Показано, что при облучении кристаллов ионами газов, с ростом дозы облучения поглощение при 5,7 эВ превосходит F-поглощение и очень низка эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. При облучении образцов ионами металлов или металлоидов F-поглощение превалирует над коротковолновым поглощением и выше эффективность образования Fe+3 и Fc+-центров. Сравнительный анализ показал, что в случае облучения образцов ионами металлов и металлодов эффективность образования F+-центров существенно выше, чем при облучении ионами газов. Полученные закономерности объясняются различием в химич. свойствах имплантируемых в MgO ионов, которое определяет их различное положение в кристаллич. решетке. | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a депонированные рукописи | |
| 700 | 1 | |a Анненков |b Ю. М. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1940- |g Юрий Михайлович |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25662 | |
| 701 | 1 | |a Пичугин |b В. Ф. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1944- |g Владимир Федорович |x TPU |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 | |
| 701 | 1 | |a Франгульян |b Т. С. |c росиийскиё учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета |g Тамара Семёновна |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Томский политехнический университет (ТПУ) |c (1991-2009) |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\376 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20120220 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20131108 |g RCR | |
| 942 | |c BK | ||