Способ получения микрокристаллов нитрида алюминия
| מחבר תאגידי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | , , , |
| סיכום: | опубл. 27.12.11 Изобретение относится к области выращивания микромонокристаллов нитрида алюминия. Микрокристаллы нитрида алюминия получают из смеси газа и паров алюминия. Нанопорошок алюминия размещают между полюсами постоянного магнита и нагревают. Процесс осуществляют в атмосфере воздуха при давлении 1 атм в условиях теплового взрыва в магнитном поле постоянного магнита напряженностью 1500 эрстед. Изобретение позволяет получать гексагональный нитрид алюминия микронного размера, который может быть использован в качестве подложек для изготовления элементов наноэлектроники. В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| שפה: | רוסית |
| יצא לאור: |
|
| נושאים: | |
| פורמט: | ספר |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=599409 |
MARC
| LEADER | 00000nam0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 599409 | ||
| 005 | 20250116063140.0 | ||
| 029 | 1 | 0 | |a RU |b 2437968 |c Пат. |d МПК C 30 B 23/00 |d МПК C 30 B 29/38 |
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\23456 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\23455 | ||
| 039 | 0 | |a RU |b 2010127065/05 |c 20100701 | |
| 090 | |a 599409 | ||
| 100 | |a 20130716j20111227k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a k 000zy | ||
| 200 | 1 | |a Способ получения микрокристаллов нитрида алюминия |f А. П. Ильин [и др.] |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) | |
| 300 | |a опубл. 27.12.11 | ||
| 330 | |a Изобретение относится к области выращивания микромонокристаллов нитрида алюминия. Микрокристаллы нитрида алюминия получают из смеси газа и паров алюминия. Нанопорошок алюминия размещают между полюсами постоянного магнита и нагревают. Процесс осуществляют в атмосфере воздуха при давлении 1 атм в условиях теплового взрыва в магнитном поле постоянного магнита напряженностью 1500 эрстед. Изобретение позволяет получать гексагональный нитрид алюминия микронного размера, который может быть использован в качестве подложек для изготовления элементов наноэлектроники. | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 610 | 1 | |a патенты | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Ильин |b А. П. |c химик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1949- |g Александр Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25487 |4 070 |9 11424 | |
| 701 | 1 | |a Мостовщиков |b А. В. |c химик |c старший научный сотрудник, профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1989- |g Андрей Владимирович |y Томск |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25492 |4 070 |9 11429 | |
| 701 | 1 | |a Коршунов |b А. В. |c химик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат химических наук |f 1970- |g Андрей Владимирович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25489 |4 070 | |
| 701 | 1 | |a Толбанова |b Л. О. |c химик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1982- |g Людмила Олеговна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25503 |4 070 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |c (2009- ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\15902 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20120201 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20130716 |g RCR | |
| 942 | |c BK | ||