Модификация электрических свойств поверхности кристаллов ниобата лития ионной бомбардировкой; Пленки - 2004; Ч. 2
| Parent link: | Пленки - 2004: материалы Международной научной конференции "Тонкие пленки и наноструктуры", Москва, 7-10 сент., 2004.— , 2004 Ч. 2.— 2004.— С. 40-43 |
|---|---|
| Kolejni autorzy: | , , , |
| Streszczenie: | Восстановительный отжиг и ионное облучение кристаллов LiNbO3 чистых, а также с различным содержанием Mg приводит к увеличению их поверхн. проводимости в 105-108 раз. С ростом концентрации Mg эффективность создания проводящего состояния уменьшается. Электропроводность кристаллов LiNbO3 обусловлена прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, связанным с существованием большого количества ионов Nb5+, занимающих позиции Li+, т. е. дефектов вида Nb4Li. Легирование кристаллов LiNbO3 магнием и железом приводит к уменьшению плотности антиструктурных дефектов, что влечет за собой изменение связанных с этими состояниями параметров электронного переноса В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Język: | rosyjski |
| Wydane: |
2004
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Format: | MixedMaterials Rozdział |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=599363 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 599363 | ||
| 005 | 20250417121816.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\23381 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\23380 | ||
| 090 | |a 599363 | ||
| 100 | |a 20130624d2004 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Модификация электрических свойств поверхности кристаллов ниобата лития ионной бомбардировкой |f А. А. Булычева [и др.] | |
| 330 | |a Восстановительный отжиг и ионное облучение кристаллов LiNbO3 чистых, а также с различным содержанием Mg приводит к увеличению их поверхн. проводимости в 105-108 раз. С ростом концентрации Mg эффективность создания проводящего состояния уменьшается. Электропроводность кристаллов LiNbO3 обусловлена прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, связанным с существованием большого количества ионов Nb5+, занимающих позиции Li+, т. е. дефектов вида Nb4Li. Легирование кристаллов LiNbO3 магнием и железом приводит к уменьшению плотности антиструктурных дефектов, что влечет за собой изменение связанных с этими состояниями параметров электронного переноса | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 461 | |t Пленки - 2004 |o материалы Международной научной конференции "Тонкие пленки и наноструктуры", Москва, 7-10 сент., 2004 |d 2004 | ||
| 463 | |t Ч. 2 |v С. 40-43 |d 2004 | ||
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Булычева |b А. А. | |
| 701 | 1 | |a Пичугин |b В. Ф. |c российский физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1944- |g Владимир Федорович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 | |
| 701 | 1 | |a Рябцева |b М. А. |c специалист в области материаловедения |c инженер-исследователь Томского политехнического университета, старший научный сотрудник |f 1984- |g Мария Александровна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33929 |9 17502 | |
| 701 | 1 | |a Шишигина |b E. D. | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20121003 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20161209 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 942 | |c BK | ||