• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Расширенный поиск
  • Способ обработки полупроводник...
  • Цитировать
  • Отправить по sms
  • Отправить на Email
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Постоянная ссылка
Способ обработки полупроводниковых детекторов

Способ обработки полупроводниковых детекторов

Библиографические подробности
Автор-организация: Томский политехнический институт (ТПИ) Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)
Другие авторы: Арефьев К. П. Константин Петрович, Арефьев В. П. Владимир Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Чернов И. П. Иван Петрович
Примечания:опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Язык:русский
Опубликовано:
Предметы:
труды учёных ТПУ
авторские свидетельства
Формат: Книга
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598342
  • Фонды
  • Описание
  • Схожие документы
  • Marc-запись

Схожие документы

  • Способ обработки ионных кристаллов
    Опубликовано: ()
  • Способ получения формальдегида
    Опубликовано: ()
  • Способ контроля состояния изоляции
    Опубликовано: ()
  • Способ получения никеля сернокислого
    Опубликовано: ()
  • Способ получения м-хлордифенилметилмочевины
    Опубликовано: ()