• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Способ обработки полупроводник...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Способ обработки полупроводниковых детекторов

Способ обработки полупроводниковых детекторов

Dades bibliogràfiques
Autor corporatiu: Томский политехнический институт (ТПИ) Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)
Altres autors: Арефьев К. П. Константин Петрович, Арефьев В. П. Владимир Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Чернов И. П. Иван Петрович
Sumari:опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Idioma:rus
Publicat:
Matèries:
труды учёных ТПУ
авторские свидетельства
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598342
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Способ обработки ионных кристаллов
    Publicat: ()
  • Способ получения формальдегида
    Publicat: ()
  • Способ получения никеля сернокислого
    Publicat: ()
  • Способ получения м-хлордифенилметилмочевины
    Publicat: ()
  • Способ контроля состояния изоляции
    Publicat: ()