• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Способ обработки полупроводник...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Esportazione completata correttamente — 
Способ обработки полупроводниковых детекторов

Способ обработки полупроводниковых детекторов

Dettagli Bibliografici
Ente Autore: Томский политехнический институт (ТПИ) Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (НИИ ЯФЭА)
Altri autori: Арефьев К. П. Константин Петрович, Арефьев В. П. Владимир Петрович, Воробьев С. А. Сергей Александрович, Мамонтов А. П. Аркадий Павлович, Сохорева В. В. Валентина Викторовна, Чернов И. П. Иван Петрович
Riassunto:опубл. 30.04.80, Бюл. ОИПОТЗ № 16
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Lingua:russo
Pubblicazione:
Soggetti:
труды учёных ТПУ
авторские свидетельства
Natura: xMaterials Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598342
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Способ обработки ионных кристаллов
    Pubblicazione: ()
  • Способ получения формальдегида
    Pubblicazione: ()
  • Способ получения никеля сернокислого
    Pubblicazione: ()
  • Способ получения м-хлордифенилметилмочевины
    Pubblicazione: ()
  • Способ контроля состояния изоляции
    Pubblicazione: ()