Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 13, вып. 6.— 1979.— С. 1142-1146
Weitere Verfasser:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Брудный В. Н., Будницкий Д. Л., Воробьев С. А. Сергей Александрович, Цой А. А.
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	1979
Schlagworte:	труды учёных ТПУ
Format:	Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598310

Ähnliche Einträge

Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния; Физика и техника полупроводников; Т. 10, вып. 11
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1976)

Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами; Физика твердого тела; Т. 19, № 8
Veröffentlicht: (1977)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1983)

Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах кремния n- и p-типа; Физика и техника полупроводников; Т. 16, вып. 7
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1982)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Veröffentlicht: (1977)

Короткоживущее оптическое поглощение в CAF2 при имульсном облучении электронами; Современные техника и технологии; Т. 3
von: Шишлянникова И. В.
Veröffentlicht: (2007)

Аннигиляция позитронов в твердых телах: сборник статей
Veröffentlicht: (Москва, Иностранная литература, 1960)

Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле KBr; Физика твердого тела; Т. 13, № 3
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1971)

Физика медленных позитронов. Аннигиляция позитронов в веществе. Позитроны в атомных системах. Двухфотонная угловая корреляция
von: Арифов У. А. Убай Арифович
Veröffentlicht: (Ташкент, Фан, 1971)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (Томск, 1961)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 3
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2004)

Аннигиляция позитронов в насыщенном водородом титане; Физика твердого тела; Т. 45, № 1
Veröffentlicht: (2003)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки; Известия вузов. Физика; № 1
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (1962)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки: [оттиск статьи]
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (Москва, 1962)

Аннигиляция позитронов в облученных протонами монокристаллах LiH; Физика твердого тела; Т. 23, № 8
Veröffentlicht: (1981)

Аннигиляция позитронов в кристаллах KBr, активированных ионами Li+; Физика твердого тела; Т. 24, № 5
Veröffentlicht: (1982)

Оптическое поглощение в стеклах, окрашенных действием излучения и его химический состав
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (Томск, 1961)

Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона; Известия вузов. Физика; Т. 33, № 5
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1990)

Аннигиляция позитронов в монокристалле MgO, легированном Al3+; Физика твердого тела; Т. 18, № 3
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (1976)

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10
Veröffentlicht: (1981)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
von: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (Томск, 1974)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
von: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Добавочное оптическое поглощение, спектры флуоресценции и энергия связи в ионных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 2
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (1962)

Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью; Физика и химия обработки материалов; № 6
von: Арефьев К. П. Константин Петрович
Veröffentlicht: (1976)

Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 21, вып. 4
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (1975)

Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl; Физика твердого тела; Т. 21, № 1
Veröffentlicht: (1979)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге; Физика и техника полупроводников; Т. 38, вып. 3
von: Ардышев М. В.
Veröffentlicht: (2004)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
von: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Veröffentlicht: (2015)

Влияние радиационных дефектов и их комплексов на оптическое поглощение поликристаллического оксида алюминия; Перспективные материалы; № 1
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2002)

Влияние облучения ионами железа и отжига на оптическое поглощение лейкосапфира; Неорганические материалы; Т. 42, № 7
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2006)

Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr; Оптика и спектроскопия; Т. 60, вып. 3
von: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
Veröffentlicht: (1986)

Оптическое поглощение гексагонального нитрида бора с участием вакансий азота и их комплексов; Физика твердого тела; Т. 46, № 3
Veröffentlicht: (2004)

Влияние комплексов дефектов на оптическое поглощение оксида алюминия, облученного ионами алюминия и кремния; Физика и химия обработки материалов; № 3
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2005)

Оптическое поглощение в соединениях металлов первой и второй групп таблицы Менделеева и энергия кристаллической решетки: [оттиск статьи]
von: Воробьев А. А. Александр Акимович
Veröffentlicht: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1956)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
von: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Veröffentlicht: (2012)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Veröffentlicht: (2004)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Veröffentlicht: (2004)