Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	Физика и техника полупроводников: научный журнал/ Российская Академия наук.— , 1967- Т. 13, вып. 6.— 1979.— С. 1142-1146
Այլ հեղինակներ:	Арефьев К. П. Константин Петрович, Брудный В. Н., Будницкий Д. Л., Воробьев С. А. Сергей Александрович, Цой А. А.
Լեզու:	ռուսերեն
Հրապարակվել է:	1979
Խորագրեր:	труды учёных ТПУ
Ձևաչափ:	Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598310

Նմանատիպ նյութեր

Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами
Հրապարակվել է: (1977)

Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1976)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1983)

Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах кремния n- и p-типа
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1982)

Короткоживущее оптическое поглощение в CAF2 при имульсном облучении электронами
‌: Шишлянникова И. В.
Հրապարակվել է: (2007)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs
Հրապարակվել է: (1977)

Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (1975)

Аннигиляция позитронов в насыщенном водородом титане
Հրապարակվել է: (2003)

Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле KBr
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1971)

Аннигиляция позитронов в облученных протонами монокристаллах LiH
Հրապարակվել է: (1981)

Аннигиляция позитронов в кристаллах KBr, активированных ионами Li+
Հրապարակվել է: (1982)

Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (Томск, 1974)

Аннигиляция позитронов в твердых телах сборник статей
Հրապարակվել է: (Москва, Иностранная литература, 1960)

Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1990)

Оптическое поглощение в облученных кристаллах перхлората аммония
‌: Невоструев В. А.
Հրապարակվել է: (1970)

Аннигиляция позитронов в монокристалле MgO, легированном Al3+
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (1976)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
Հրապարակվել է: (2011)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (1962)

Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr
‌: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
Հրապարակվել է: (1986)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
‌: Peshev V. V.
Հրապարակվել է: (2007)

Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью
‌: Арефьев К. П. Константин Петрович
Հրապարակվել է: (1976)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
‌: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Հրապարակվել է: (2015)

Центры захвата позитронов в облученных электронами кристаллах KCl
Հրապարակվել է: (1979)

Влияние точечных дефектов на активационные процессы в полуизолирующем GaAs, облученном ионами [Si28]
‌: Ардышев М. В.
Հրապարակվել է: (2004)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки [оттиск статьи]
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (Москва, 1962)

Влияние облучения ионами железа и отжига на оптическое поглощение лейкосапфира
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2006)

Добавочное оптическое поглощение, спектры флуоресценции и энергия связи в ионных кристаллах
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (1962)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
Հրապարակվել է: (1976)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
Հրապարակվել է: (2004)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Հրապարակվել է: (1998)

Оптическое поглощение в стеклах, окрашенных действием излучения и его химический состав
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (Томск, 1961)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2010)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки
‌: Воробьев А. А. Александр Акимович
Հրապարակվել է: (Томск, 1961)

Физика медленных позитронов. Аннигиляция позитронов в веществе. Позитроны в атомных системах. Двухфотонная угловая корреляция
‌: Арифов У. А. Убай Арифович
Հրապարակվել է: (Ташкент, Фан, 1971)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
‌: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Հրապարակվել է: (2012)

Дефекты водородного происхождения в сплавах тугоплавких металлов и аннигиляция позитронов
‌: Мукашев К. М.
Հրապարակվել է: (2011)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2015)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
‌: Пешев В. В.
Հրապարակվել է: (2004)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation
Հրապարակվել է: (2009)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation
‌: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Հրապարակվել է: (2011)