Влияние местоположения барьерного слоя на электрическую прочность трехслойных систем изоляции
| Parent link: | Российская научно-техническая конференция по физике диэлектриков с международным участием "Диэлектрики-93": тезисы докладов, Санкт-Петербург, 22-24 июня 1993 г. Ч. 2.— 1993.— С. 24-25 |
|---|---|
| Daljnji autori: | , , , |
| Sažetak: | В резко неоднородном эл. поле Uпр ЭИ существенно увеличивается, если расстояние между острийным эл-дом и барьером ≈1/4 межэлектродного расстояния. Для слабо неоднородного поля данные о влиянии барьера на Uпр трехслойных систем изоляции (ТСИ) практически отсутствуют, в то же время этот случай представляет наибольший интерес для барьерной ЭИ кабелей ВН, т. к. коэф. неоднородности внешнего эл. поля для таких конструкций обычно не превышает (1,5÷3). В данной работе показана возможность увеличения Uпр ЭИ (на перем. напряжении промышленной f) путем применения барьеров с повышенной ε в условиях, приближенных к однородному внешнему эл. полю. Исследовано влияние границы раздела материалов с различной ε на Uпр, tg δ и активную и реактивную составляющие проводимости ТСИ. Показано, что макс. эффект увеличения Uпр достигается, если отношение расстояния между потенциальным эл-дом и ближней границей раздела барьер-ЭИ к общей толщине ТСИ находится в пределах (0,25÷0,05), а отношение значений ε материала барьерного слоя и ЭИМ равно 10. При оптимальном расположении барьера tg δ и реактивная проводимость ТСИ на (50÷80)% меньше, чем при других расположениях барьера, а точка перегиба, при к-рой наблюдается нелинейный рост активной проводимости, смещается в область больших значений В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Jezik: | ruski |
| Izdano: |
1993
|
| Teme: | |
| Format: | Poglavlje knjige |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=598070 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 598070 | ||
| 005 | 20250221162842.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\21563 | ||
| 035 | |a RU\TPU\tpu\17745 | ||
| 090 | |a 598070 | ||
| 100 | |a 20120628d1993 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Влияние местоположения барьерного слоя на электрическую прочность трехслойных систем изоляции |f А. В. Демин [и др.] | |
| 320 | |a Библиогр.: 3 назв. | ||
| 330 | |a В резко неоднородном эл. поле Uпр ЭИ существенно увеличивается, если расстояние между острийным эл-дом и барьером ≈1/4 межэлектродного расстояния. Для слабо неоднородного поля данные о влиянии барьера на Uпр трехслойных систем изоляции (ТСИ) практически отсутствуют, в то же время этот случай представляет наибольший интерес для барьерной ЭИ кабелей ВН, т. к. коэф. неоднородности внешнего эл. поля для таких конструкций обычно не превышает (1,5÷3). В данной работе показана возможность увеличения Uпр ЭИ (на перем. напряжении промышленной f) путем применения барьеров с повышенной ε в условиях, приближенных к однородному внешнему эл. полю. Исследовано влияние границы раздела материалов с различной ε на Uпр, tg δ и активную и реактивную составляющие проводимости ТСИ. Показано, что макс. эффект увеличения Uпр достигается, если отношение расстояния между потенциальным эл-дом и ближней границей раздела барьер-ЭИ к общей толщине ТСИ находится в пределах (0,25÷0,05), а отношение значений ε материала барьерного слоя и ЭИМ равно 10. При оптимальном расположении барьера tg δ и реактивная проводимость ТСИ на (50÷80)% меньше, чем при других расположениях барьера, а точка перегиба, при к-рой наблюдается нелинейный рост активной проводимости, смещается в область больших значений | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 461 | |t Российская научно-техническая конференция по физике диэлектриков с международным участием "Диэлектрики-93" |o тезисы докладов, Санкт-Петербург, 22-24 июня 1993 г. | ||
| 463 | |t Ч. 2 |v С. 24-25 |d 1993 | ||
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Демин |b А. В. | |
| 701 | 1 | |a Гефле |b О. С. |c российский физик |c старший научный сотрудник НИИ ВН Томского политехнического университета, кандидат технических наук |g Ольга Семеновна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25458 | |
| 701 | 1 | |a Лебедев |b С. М. |c российский физик |c заведующий лабораторией НИИ высоких напряжений Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1954- |g Сергей Михайлович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25466 | |
| 701 | 1 | |a Ушаков |b В. Я. |c специалист в области электроэнергетики |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1939- |g Василий Яковлевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\10509 |9 2236 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20100504 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20120628 |g RCR | |
| 942 | |c BK | ||