Temperature dependence of radiation defect buildup in doped CaF2 crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 18, № 5

Détails bibliographiques
Parent link:Soviet Physics Journal
Vol. 18, № 5.— 1975.— P. 695-697
Auteur principal: Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Autres auteurs: Shtan'ko V. F.
Résumé:В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Langue:anglais
Publié: 1975
Sujets:
Format: Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596806

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 596806
005 20250123132508.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\19849 
035 |a RU\TPU\tpu\19848 
090 |a 596806 
100 |a 20110825d1975 k||y0rusy50 ba 
101 1 |a eng 
200 1 |a Temperature dependence of radiation defect buildup in doped CaF2 crystals  |f V. M. Lisitsyn, V. F. Shtan'ko 
333 |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует 
461 |t Soviet Physics Journal 
463 |t Vol. 18, № 5  |v P. 695-697  |d 1975 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Lisitsyn  |b V. M.  |c physicist  |c Russian physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1939-  |g Viktor Mikhailovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28330  |9 13239 
701 1 |a Shtan'ko  |b V. F. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20100309 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20110825  |g RCR 
942 |c CR