Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига

Detalhes bibliográficos
Parent link:Электронная промышленность
Т. № 1-2.— 1998.— С. 80-83
Outros Autores: Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Resumo:Пластины полуизолирующего GaAs, имплантированные ионами Si с E=30 кэВ (1,25×1013 см-2), а затем с E=100 кэВ (5×1012 см-2) при 300 К, подвергали высокоэнергетическому электронному отжигу (ВЭО) путем облучения электронами с E=1-2 МэВ при плотности тока пучка 1-2 мА/см2 в течение 13 и 15 с. Методом НСГУ установлено, что электрич. активация примеси при ВЭО происходит при существенно меньших т-рах, чем при низкоэнергетическом электронном отжиге или термич. отжиге. Генерируемые во время ВЭО точечные дефекты ускоряют процессы отжига структурных нарушений и активацию Si. ВАХ полевых транзисторов Шотки, изготовленных из ионно-легированных структур GaAs, прошедших ВЭО, слабо чувствительны к освещению светом из примесной области
В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Idioma:russo
Publicado em: 1998
Assuntos:
труды учёных ТПУ
Formato: Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596557

Registros relacionados

Registros relacionados