Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига

Библиографические подробности
Источник:	Электронная промышленность Т. № 1-2.— 1998.— С. 80-83
Другие авторы:	Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Примечания:	Пластины полуизолирующего GaAs, имплантированные ионами Si с E=30 кэВ (1,25×1013 см-2), а затем с E=100 кэВ (5×1012 см-2) при 300 К, подвергали высокоэнергетическому электронному отжигу (ВЭО) путем облучения электронами с E=1-2 МэВ при плотности тока пучка 1-2 мА/см2 в течение 13 и 15 с. Методом НСГУ установлено, что электрич. активация примеси при ВЭО происходит при существенно меньших т-рах, чем при низкоэнергетическом электронном отжиге или термич. отжиге. Генерируемые во время ВЭО точечные дефекты ускоряют процессы отжига структурных нарушений и активацию Si. ВАХ полевых транзисторов Шотки, изготовленных из ионно-легированных структур GaAs, прошедших ВЭО, слабо чувствительны к освещению светом из примесной области В фонде НТБ ТПУ отсутствует
Язык:	русский
Опубликовано:	1998
Предметы:	труды учёных ТПУ
Формат:	Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596557

Схожие документы

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
по: Ардышев М. В.
Опубликовано: (2002)

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3
по: Ардышев В. М.
Опубликовано: (1998)

Свойства полимеров при низких температурах
по: Перепечко И. И. Игорь Иванович
Опубликовано: (Москва, Мир, 1980)

Конструкционная прочность при низких температурах
по: Новиков Н. В. Николай Васильевич
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1979)

Хрупкость металлов при низких температурах
по: Красовский А. Я. Арнольд Янович
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1980)

Малоцикловая усталость при низких температурах
по: Стрижало В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1987)

Свойства полимеров при низких температурах
по: Перепечко И. И. Игорь Иванович
Опубликовано: (Москва, Химия, 1977)

Теплообмен при низких температурах: сборник научных трудов
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1979)

Стабильный датчик температуры на основе структур с барьером Шотки на GaAs; Приборы и техника эксперимента; № 3
по: Филонов Н. Г.
Опубликовано: (2002)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
по: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Опубликовано: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
по: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Опубликовано: (2015)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Опубликовано: (2004)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
по: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Опубликовано: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
по: Пешев В. В.
Опубликовано: (2004)

Элементы радиотехнических устройств при низких температурах
по: Видинеев Ю. Д. Юрий Дмитриевич
Опубликовано: (Москва, Связь, 1980)

Надежность горных машин при низких температурах
по: Кох П. И. Петр Иванович
Опубликовано: (Москва, Недра, 1972)

Ползучесть кристаллических тел при низких температурах
по: Нечволод Н. К. Николай Кузьмич
Опубликовано: (Киев, Вища школа, 1980)

Применение жидких топлив при низких температурах
по: Энглин Б. А. Борис Абрамович
Опубликовано: (Москва, Химия, 1980)

Оптические свойства материалов при низких температурах: справочник
по: Новицкий Л. А. Леонид Адольфович
Опубликовано: (Москва, Машиностроение, 1980)

Повышение работоспособности электропривода при низких температурах: монография
по: Смирнов А. О. Александр Олегович
Опубликовано: (Saarbrucken, LAP Lambert Academic Publishing, 2012)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
Опубликовано: (2011)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
по: Пешев В. В. Владимир Викторович
Опубликовано: (2005)

Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
по: Демарина Н. В.
Опубликовано: (2002)

Поведение сорбентов при низких температурах; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
по: Спирин Э. К. Эдуард Константинович
Опубликовано: (2013)

Структура и свойства чугунов, легированных медью после графитизирующего отжига; Современные технологии и материалы новых поколений
Опубликовано: (2017)

Механические испытания конструкционных материалов при низких температурах
по: Новиков Н. В. Николай Васильевич
Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1974)

Прочность и пластичность металлов при низких температурах
по: Ужик Г. В. Георгий Викторович
Опубликовано: (Москва, Изд-во АН СССР, 1957)

Технологическая прочность сварных соединений при низких температурах
по: Слепцов О. И. Олег Ивкентьевич
Опубликовано: (Новосибирск, Наука, 1984)

Теплофизические свойства материалов при низких температурах: справочник
по: Кожевников И. Г. Игорь Григорьевич
Опубликовано: (Москва, Машиностроение, 1982)

Механические свойства стали при низких температурах: справочник
по: Гудков С. И. Сергей Иванович
Опубликовано: (Москва, Металлургия, 1967)

Теплопередача при низких температурах: пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1977)

Поведение изоляции и электроаппаратуры при низких температурах: оттиск
по: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1941)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Опубликовано: (2007)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
по: Peshev V. V.
Опубликовано: (2007)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
по: Крылов П.Н.
Опубликовано: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Хрупость стали при низких температурах; Сибирский ин-т металлов. Известия; Т. 1, вып. 4
по: Добровидов А. Н.
Опубликовано: (1934)

Хрупкость стали при низких температурах; Труды первой краевой конференции физиков Западной Сибири; Вып. 2
по: Добровидов А. Н.
Опубликовано: (1934)

Формирование DX-центров в планерно-легированном GaAs : Si в сильных электрических полях; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 3
по: Аше М.
Опубликовано: (2004)

Повышение надежности стальных конструкций при низких температурах: учебное пособие
по: Сильвестров А. В. Анатолий Васильевич
Опубликовано: (Новосибирск, [Б. и.], 1977)