Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
| Parent link: | Электронная промышленность Т. № 1-2.— 1998.— С. 80-83 |
|---|---|
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Пластины полуизолирующего GaAs, имплантированные ионами Si с E=30 кэВ (1,25×1013 см-2), а затем с E=100 кэВ (5×1012 см-2) при 300 К, подвергали высокоэнергетическому электронному отжигу (ВЭО) путем облучения электронами с E=1-2 МэВ при плотности тока пучка 1-2 мА/см2 в течение 13 и 15 с. Методом НСГУ установлено, что электрич. активация примеси при ВЭО происходит при существенно меньших т-рах, чем при низкоэнергетическом электронном отжиге или термич. отжиге. Генерируемые во время ВЭО точечные дефекты ускоряют процессы отжига структурных нарушений и активацию Si. ВАХ полевых транзисторов Шотки, изготовленных из ионно-легированных структур GaAs, прошедших ВЭО, слабо чувствительны к освещению светом из примесной области В фонде НТБ ТПУ отсутствует |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
1998
|
| Matèries: | |
| Format: | MixedMaterials Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=596557 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 596557 | ||
| 005 | 20250121094938.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\19526 | ||
| 090 | |a 596557 | ||
| 100 | |a 20110711d1998 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 200 | 1 | |a Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига |f В. М. Ардышев [и др.] | |
| 330 | |a Пластины полуизолирующего GaAs, имплантированные ионами Si с E=30 кэВ (1,25×1013 см-2), а затем с E=100 кэВ (5×1012 см-2) при 300 К, подвергали высокоэнергетическому электронному отжигу (ВЭО) путем облучения электронами с E=1-2 МэВ при плотности тока пучка 1-2 мА/см2 в течение 13 и 15 с. Методом НСГУ установлено, что электрич. активация примеси при ВЭО происходит при существенно меньших т-рах, чем при низкоэнергетическом электронном отжиге или термич. отжиге. Генерируемые во время ВЭО точечные дефекты ускоряют процессы отжига структурных нарушений и активацию Si. ВАХ полевых транзисторов Шотки, изготовленных из ионно-легированных структур GaAs, прошедших ВЭО, слабо чувствительны к освещению светом из примесной области | ||
| 333 | |a В фонде НТБ ТПУ отсутствует | ||
| 461 | |t Электронная промышленность | ||
| 463 | |t Т. № 1-2 |v С. 80-83 |d 1998 | ||
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Ардышев |b В. М. | |
| 701 | 1 | |a Ардышев |b М. В. | |
| 701 | 1 | |a Пешев |b В. В. | |
| 701 | 1 | |a Суржиков |b А. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1951- |g Анатолий Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010 |9 9307 | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20110711 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20121220 |g RCR | |
| 942 | |c CR | ||