APA (7th ed.) Citation

Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., & Суржиков А. П. Анатолий Петрович. (1998). Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., and Суржиков А. П. Анатолий Петрович. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998, 1998.

MLA (9th ed.) Citation

Ардышев В. М., et al. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998, 1998.