Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., & Суржиков А. П. Анатолий Петрович. (1998). Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., та Суржиков А. П. Анатолий Петрович. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998, 1998.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Ардышев В. М., et al. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2. 1998, 1998.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.