Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., & Суржиков А. П. Анатолий Петрович. (1998). Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига. 1998.
Citace podle Chicago (17th ed.)Ардышев В. М., Ардышев М. В., Пешев В. В., a Суржиков А. П. Анатолий Петрович. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига. 1998, 1998.
Citace podle MLA (9th ed.)Ардышев В. М., et al. Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига. 1998, 1998.
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..