Скорость электрического пробоя ионных кристаллов в постоянном электрическом поле при облучении сильноточным импульсным электронным пучком; Тезисы докладов на 7 Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 4-6 мая, 1988); Ч. 3

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Тезисы докладов на 7 Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 4-6 мая, 1988)
Ч. 3.— 1988.— С. 206-207
المؤلف الرئيسي: Балычев И. Н.
مؤلفون آخرون: Вайсбурд Д. И., Трофимов В. А.
اللغة:الروسية
منشور في: 1988
الموضوعات:
التنسيق: xMaterials فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=594954

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 594954
005 20250220140204.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\12307 
090 |a 594954 
100 |a 20050609d1988 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Скорость электрического пробоя ионных кристаллов в постоянном электрическом поле при облучении сильноточным импульсным электронным пучком  |f И. Н. Балычев, Д. И. Вайсбурд, В. А. Трофимов 
461 |t Тезисы докладов на 7 Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 4-6 мая, 1988) 
463 |t Ч. 3  |v С. 206-207  |d 1988 
610 1 |a сильноточная электроника 
610 1 |a электрический пробой 
610 1 |a скорость 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a постоянное электрическое поле 
610 1 |a облучение 
610 1 |a импульсные электронные пучки 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Балычев  |b И. Н. 
701 1 |a Вайсбурд  |b Д. И. 
701 1 |a Трофимов  |b В. А. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20050609  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20100423  |g RCR 
942 |c BK