Влияние облучения сильноточными импульсными электронныеми пучками на развитие пробоя в щелочно-галоидных кристаллах; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988)

Podrobná bibliografie
Parent link:Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988).— 1988.— С. 106-107
Hlavní autor: Балычев И. Н.
Další autoři: Трофимов В. А.
Jazyk:ruština
Vydáno: 1988
Témata:
Médium: Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=594951

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 594951
005 20250220140518.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\12283 
090 |a 594951 
100 |a 20050608d1988 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Влияние облучения сильноточными импульсными электронныеми пучками на развитие пробоя в щелочно-галоидных кристаллах  |f И. Н. Балычев, В. А. Трофимов 
320 |a Библиогр.: 2 назв. 
463 |t Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988)  |v С. 106-107  |d 1988 
610 1 |a облучение 
610 1 |a электронные пучки 
610 1 |a сильноточные импульсные пучки 
610 1 |a пробой 
610 1 |a физика 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a щелочно-галлоидные кристаллы 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Балычев  |b И. Н. 
701 1 |a Трофимов  |b В. А. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20050608  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20100422  |g RCR 
942 |c BK