Балычев И. Н. & Трофимов В. А. (1988). Влияние облучения сильноточными импульсными электронныеми пучками на развитие пробоя в щелочно-галоидных кристаллах; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988). 1988.
Citação norma ChicagoБалычев И. Н. and Трофимов В. А. Влияние облучения сильноточными импульсными электронныеми пучками на развитие пробоя в щелочно-галоидных кристаллах; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988). 1988, 1988.
Citação norma MLAБалычев И. Н. and Трофимов В. А. Влияние облучения сильноточными импульсными электронныеми пучками на развитие пробоя в щелочно-галоидных кристаллах; Тезисы докладов 6 Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 23-25 ноября, 1988). 1988, 1988.