Киселев В. Г. & Овчаров А. Т. (1988). Эффективность дефектообразования в стеклообразном [SiO2] при Уф-воздействии; Шестая Всесоюзная конференция по физики диэлектриков. 1988.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Киселев В. Г. i Овчаров А. Т. Эффективность дефектообразования в стеклообразном [SiO2] при Уф-воздействии; Шестая Всесоюзная конференция по физики диэлектриков. 1988, 1988.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Киселев В. Г. i Овчаров А. Т. Эффективность дефектообразования в стеклообразном [SiO2] при Уф-воздействии; Шестая Всесоюзная конференция по физики диэлектриков. 1988, 1988.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..