Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния; Известия вузов. Физика; № 8

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411
№ 8.— 1967.— С. 137-139
Drugi avtorji: Зайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., Зайдман Г. И.
Jezik:ruščina
Izdano: 1967
Teme:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592599

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 592599
005 20231101131722.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\tpu\4891 
090 |a 592599 
100 |a 20011210a1967 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния  |f С. А. Зайдман, В. И. Гаман, В. М. Осиненко [и др.] 
320 |a Библиогр.: 7 назв. 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |x 0021-3411  |t Известия вузов. Физика  |l Russian Physics Journal  |d 1958-2017, 2020- 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\76676  |t № 8  |v С. 137-139  |d 1967 
610 1 |a физика 
610 1 |a кремний 
610 1 |a диоды 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Зайдман  |b С. А. 
701 1 |a Гаман  |b В. И. 
701 1 |a Осиненко  |b В. М. 
701 1 |a Зайдман  |b Г. И. 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20011210  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20220729  |g PSBO 
942 |c BK