Зайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., & Зайдман Г. И. (1967). Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967.
शिकागो शैली (17वां संस्करण) प्रशस्ति पत्रЗайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., और Зайдман Г. И. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.
एमएलए (9वां संस्करण) प्रशस्ति पत्रЗайдман С. А., et al. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.
चेतावनी: ये उद्धरण हमेशा 100% सटीक नहीं हो सकते हैं.