Зайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., & Зайдман Г. И. (1967). Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967.
Chicago Style (17th ed.) CitationЗайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., and Зайдман Г. И. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.
MLA (9th ed.) CitationЗайдман С. А., et al. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.