Cita APA (7th ed.)

Зайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., & Зайдман Г. И. (1967). Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967.

Cita Chicago (17th ed.)

Зайдман С. А., Гаман В. И., Осиненко В. М., i Зайдман Г. И. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.

Cita MLA (9th ed.)

Зайдман С. А., et al. Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния. 1967, 1967.