Переходный процесс при переключении диода с тонкой базой; Известия вузов. Физика; № 1
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411 № 1.— 1966.— С. 18-20 |
|---|---|
| Autor principal: | Гаман В. И. |
| Otros Autores: | Зайдман С. А. |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
1966
|
| Materias: | |
| Formato: | Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592559 |
Ejemplares similares
К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции; Известия вузов. Физика; № 5
por: Гаман В. И.
Publicado: (1966)
por: Гаман В. И.
Publicado: (1966)
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967)
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967)
Физика полупроводниковых приборов: учебное пособие для вузов
por: Гаман В. И.
Publicado: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989)
por: Гаман В. И.
Publicado: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989)
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
por: Гаман В. И.
Publicado: (2003)
por: Гаман В. И.
Publicado: (2003)
Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния; Известия вузов. Физика; № 8
Publicado: (1967)
Publicado: (1967)
Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
por: Кулиш У. М.
Publicado: (1966)
por: Кулиш У. М.
Publicado: (1966)
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967)
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967)
Исследование характеристик планарного диода с композиционным катодом; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11(3)
Publicado: (2011)
Publicado: (2011)
Вопросы физики и применения тиристоров: [сборник статей]
Publicado: (Москва, Изд-во Московского лесотехнического ин-та, 1967)
Publicado: (Москва, Изд-во Московского лесотехнического ин-та, 1967)
Исследование ионного BR-диода с взрывоэмиссионным источником плазмы; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 6-2
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (2015)
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (2015)
Инфракрасный интерферометр для исследования плазмонаполненного релятивистского диода; Приборы и техника эксперимента; № 2
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Исследование ионного диода с Br-магнитным полем и диэлектрическим анодом; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (2012)
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (2012)
Исследование влияния адсорбированных молекул на работу диода с взрывоэмиссинным катодом; Приборы и техника эксперимента; № 6
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
Исследование динамики импеданса взрывоэмиссионного диода; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
por: Приходько А. В.
Publicado: (2005)
por: Приходько А. В.
Publicado: (2005)
Силовые полупроводниковые приборы: учебник
por: Евсеев Ю. А. Юрий Алексеевич
Publicado: (Москва, Энергоиздат, 1981)
por: Евсеев Ю. А. Юрий Алексеевич
Publicado: (Москва, Энергоиздат, 1981)
Исследование влияния геометрических размеров пучка на ток диода; Молодежь и современные информационные технологии; Ч. 1
por: Марченко А. Л.
Publicado: (2009)
por: Марченко А. Л.
Publicado: (2009)
Моделирование работы планарного диода с взрывоэмиссионным катодом в режиме ограничения эмиссии; Перспективы развития фундаментальных наук
por: Патронов А. Ю.
Publicado: (2008)
por: Патронов А. Ю.
Publicado: (2008)
Эффективность работы планарного диода с взрывоэмиссионным катодом при задержке плазмообразования; Журнал технической физики; Т. 78, вып. 3
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
Физика полупроводниковых приборов: учебное пособие
por: Гаман В. И. Василий Иванович
Publicado: (Томск, Изд-во НТЛ, 2000)
por: Гаман В. И. Василий Иванович
Publicado: (Томск, Изд-во НТЛ, 2000)
Методы исследования показателей надежности низкочастотного диода типа Д123-500 в таблеточном исполнении; Теплофизические основы энергетических технологий
por: Курмангалиев Р. Х.
Publicado: (2014)
por: Курмангалиев Р. Х.
Publicado: (2014)
Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.
por: Зи С. М.
Publicado: (Москва, Энергия, 1973)
por: Зи С. М.
Publicado: (Москва, Энергия, 1973)
Исследование первеанса планарного диода с многоострийным катодом; Журнал технической физики; Т. 78, вып. 3
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
por: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Publicado: (2008)
Использование оптоволокна для вывода излучения полупроводникового лазерного диода из камеры высокого гидростатического давления; Приборы и техника эксперимента; № 3
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.20
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2015)
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2015)
Параметрические генераторы и делители частоты
por: Каплан А. Е. Александр Ефимович
Publicado: (Москва, Советское радио, 1966)
por: Каплан А. Е. Александр Ефимович
Publicado: (Москва, Советское радио, 1966)
Влияние типа мишени магнетронного диода на оптические свойства плёнок кремния; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
por: Бельгебаева Д. Е.
Publicado: (2019)
por: Бельгебаева Д. Е.
Publicado: (2019)
Влияние ИМПА магнетронного диода свойства никелевых пленок; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
por: Целовальникова А. Е.
Publicado: (2019)
por: Целовальникова А. Е.
Publicado: (2019)
Определение удельного заряда электрона с помощью вакуумного диода: методические указания к выполнению лабораторной работы Э-13а по курсу «Общая физика» для студентов всех специальностей
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2008)
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2008)
Оптимизация параметров электронного диода частотного сильноточного ускорителя; Современные проблемы науки и образования; № 6
por: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Publicado: (2013)
por: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Publicado: (2013)
№ 327: Радиоэлектроника: [сборник]; Труды Ленинградского политехнического института имени М. И. Калинина
Publicado: (Ленинград, Машиностроение, 1972)
Publicado: (Ленинград, Машиностроение, 1972)
Исследование характеристик медных покрытий полученных с помощью жидкофазного магнетронного диода; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1
por: Войнов Р. Ю.
Publicado: (2009)
por: Войнов Р. Ю.
Publicado: (2009)
Построение и анализ фазовых портретов диффузионной плазмы термоэмиссионного диода; Молодежь и современные информационные технологии
por: Тарасова Л. П.
Publicado: (2013)
por: Тарасова Л. П.
Publicado: (2013)
Исследование закономерностей изменения импеданса электронного диода с плоскими катодами; Фундаментальные исследования; № 9, ч. 9
por: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Publicado: (2014)
por: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Publicado: (2014)
Исследование особенностей плазменных граничных условий у эмиттера термоэмиссионного диода; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 322, № 2 : Математика и механика. Физика
por: Зимин В. П. Вячеслав Прокопьевич
Publicado: (2013)
por: Зимин В. П. Вячеслав Прокопьевич
Publicado: (2013)
Введение в полупроводниковую электронику: пер. с англ.
por: Нанавати Р. П. Раджендра
Publicado: (Москва, Связь, 1965)
por: Нанавати Р. П. Раджендра
Publicado: (Москва, Связь, 1965)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.20
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (Томск, 2015)
por: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Publicado: (Томск, 2015)
Влияние геометрических параметров вакуумного диода на самофокусировку сильноточного электронного пучка; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
por: Нгуен В. В.
Publicado: (2021)
por: Нгуен В. В.
Publicado: (2021)
Оценка отклонения состояния дуговой плазмы термоэмиссионного диода от термодинамического равновесия; Молодежь и современные информационные технологии
por: Пискунова Т. А.
Publicado: (2013)
por: Пискунова Т. А.
Publicado: (2013)
Физика и расчет ядерных реакторов: пер. с фр.
por: Кахан Т. Тео
Publicado: (Москва, Атомиздат, 1960)
por: Кахан Т. Тео
Publicado: (Москва, Атомиздат, 1960)
Исследование планарного диода с взрывоэмиссионным катодом в режиме ограничения эмиссии; Перспективы развития фундаментальных наук
por: Сазонов Р. В. Роман Владимирович
Publicado: (2008)
por: Сазонов Р. В. Роман Владимирович
Publicado: (2008)
Ejemplares similares
-
К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции; Известия вузов. Физика; № 5
por: Гаман В. И.
Publicado: (1966) -
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2
por: Гаман В. И.
Publicado: (1967) -
Физика полупроводниковых приборов: учебное пособие для вузов
por: Гаман В. И.
Publicado: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989) -
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
por: Гаман В. И.
Publicado: (2003) -
Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния; Известия вузов. Физика; № 8
Publicado: (1967)