Переходный процесс при переключении диода с тонкой базой
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal.— , 1958-2017, 2020-.— 0021-3411 № 1.— 1966.— С. 18-20 |
|---|---|
| Tác giả chính: | Гаман В. И. |
| Tác giả khác: | Зайдман С. А. |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Nga |
| Được phát hành: |
1966
|
| Những chủ đề: | |
| Định dạng: | Chương của sách |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=592559 |
Những quyển sách tương tự
К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1966)
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1966)
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1967)
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1967)
Физика полупроводниковых приборов учебное пособие для вузов
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989)
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989)
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (2003)
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (2003)
Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния
Được phát hành: (1967)
Được phát hành: (1967)
Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода
Bằng: Кулиш У. М.
Được phát hành: (1966)
Bằng: Кулиш У. М.
Được phát hành: (1966)
Исследование влияния адсорбированных молекул на работу диода с взрывоэмиссинным катодом
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Исследование первеанса планарного диода с многоострийным катодом
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Эффективность работы планарного диода с взрывоэмиссионным катодом при задержке плазмообразования
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2008)
Исследование динамики импеданса взрывоэмиссионного диода
Bằng: Приходько А. В.
Được phát hành: (2005)
Bằng: Приходько А. В.
Được phát hành: (2005)
Исследование характеристик планарного диода с композиционным катодом
Được phát hành: (2011)
Được phát hành: (2011)
Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1967)
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1967)
Исследование влияния геометрических размеров пучка на ток диода
Bằng: Марченко А. Л.
Được phát hành: (2009)
Bằng: Марченко А. Л.
Được phát hành: (2009)
Моделирование работы планарного диода с взрывоэмиссионным катодом в режиме ограничения эмиссии
Bằng: Патронов А. Ю.
Được phát hành: (2008)
Bằng: Патронов А. Ю.
Được phát hành: (2008)
Исследование ионного BR-диода с взрывоэмиссионным источником плазмы
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (2015)
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (2015)
Инфракрасный интерферометр для исследования плазмонаполненного релятивистского диода
Được phát hành: (2004)
Được phát hành: (2004)
Стабильность параметров вакуумного электронного диода с плоскими катодами
Bằng: Полосков А. В. Артём Викторович
Được phát hành: (2013)
Bằng: Полосков А. В. Артём Викторович
Được phát hành: (2013)
Исследование характеристик медных покрытий полученных с помощью жидкофазного магнетронного диода
Bằng: Войнов Р. Ю.
Được phát hành: (2009)
Bằng: Войнов Р. Ю.
Được phát hành: (2009)
Исследование закономерностей изменения импеданса электронного диода с плоскими катодами
Bằng: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Được phát hành: (2014)
Bằng: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Được phát hành: (2014)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.20
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2015)
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 2015)
Оптимизация параметров электронного диода частотного сильноточного ускорителя
Bằng: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Được phát hành: (2013)
Bằng: Егоров И. С. Иван Сергеевич
Được phát hành: (2013)
Исследование ионного диода с Br-магнитным полем и диэлектрическим анодом
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (2012)
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (2012)
Исследование ионного диода с Br - магнитным полем автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.20
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (Томск, 2015)
Bằng: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Được phát hành: (Томск, 2015)
Вопросы физики и применения тиристоров [сборник статей]
Được phát hành: (Москва, Изд-во Московского лесотехнического ин-та, 1967)
Được phát hành: (Москва, Изд-во Московского лесотехнического ин-та, 1967)
Методы исследования показателей надежности низкочастотного диода типа Д123-500 в таблеточном исполнении
Bằng: Курмангалиев Р. Х.
Được phát hành: (2014)
Bằng: Курмангалиев Р. Х.
Được phát hành: (2014)
Построение и анализ фазовых портретов диффузионной плазмы термоэмиссионного диода
Bằng: Тарасова Л. П.
Được phát hành: (2013)
Bằng: Тарасова Л. П.
Được phát hành: (2013)
Разработка макета поративного сцинтилляционного детектора на основе PIN-диода
Bằng: Никишкин Т. Г.
Được phát hành: (2017)
Bằng: Никишкин Т. Г.
Được phát hành: (2017)
Оптимизация режима работы сильноточного диода с полым катодом, для нанесения металлических покрытий
Bằng: Черепенников Ю. М. Юрий Михайлович
Được phát hành: (2010)
Bằng: Черепенников Ю. М. Юрий Михайлович
Được phát hành: (2010)
Исследование планарного диода с взрывоэмиссионным катодом в режиме ограничения эмиссии
Bằng: Сазонов Р. В. Роман Владимирович
Được phát hành: (2008)
Bằng: Сазонов Р. В. Роман Владимирович
Được phát hành: (2008)
Измерение магнитной индукции в А-К зазоре диода с магнитной самоизоляцией
Bằng: Аширбаев М. Е.
Được phát hành: (2015)
Bằng: Аширбаев М. Е.
Được phát hành: (2015)
Влияние ИМПА магнетронного диода свойства никелевых пленок
Bằng: Целовальникова А. Е.
Được phát hành: (2019)
Bằng: Целовальникова А. Е.
Được phát hành: (2019)
Анализ фазовых портретов неизмеряемых параметров дуговой плазмы термоэмиссионнного диода
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2014)
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2014)
Оценка отклонения состояния дуговой плазмы термоэмиссионного диода от термодинамического равновесия
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2014)
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2014)
Влияние типа мишени магнетронного диода на оптические свойства плёнок кремния
Bằng: Бельгебаева Д. Е.
Được phát hành: (2019)
Bằng: Бельгебаева Д. Е.
Được phát hành: (2019)
Оценка отклонения состояния дуговой плазмы термоэмиссионного диода от термодинамического равновесия
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2013)
Bằng: Пискунова Т. А.
Được phát hành: (2013)
Исследование параметров самосфокусированного электронного пучка, выведенного за анод вакуумного диода
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2022)
Bằng: Олешко В. И. Владимир Иванович
Được phát hành: (2022)
Определение удельного заряда электрона с помощью вакуумного диода методические указания к выполнению лабораторной работы Э-13а по курсу «Общая физика» для студентов всех специальностей
Được phát hành: (Томск, Изд-во ТПУ, 2008)
Được phát hành: (Томск, Изд-во ТПУ, 2008)
Силовые полупроводниковые приборы учебник
Bằng: Евсеев Ю. А. Юрий Алексеевич
Được phát hành: (Москва, Энергоиздат, 1981)
Bằng: Евсеев Ю. А. Юрий Алексеевич
Được phát hành: (Москва, Энергоиздат, 1981)
Влияние объемного заряда электронов, многократно отраженных от анода, на ток плоского диода
Được phát hành: (2001)
Được phát hành: (2001)
Влияние изменения траектории электронов в зазоре анод-катод вакуумного диода на импеданс
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2016)
Bằng: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Được phát hành: (2016)
Những quyển sách tương tự
-
К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1966) -
Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (1967) -
Физика полупроводниковых приборов учебное пособие для вузов
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1989) -
Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода
Bằng: Гаман В. И.
Được phát hành: (2003) -
Определение энергетического положения рекомбинационного уровня в базе диода, полученного из термозакаленного кремния
Được phát hành: (1967)