Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах; Известия вузов. Физика; № 2

類似資料

• Зависимость скорости поверхностной рекомбинации базы кремниевых диодов от температуры и уровня инъекции; Известия вузов. Физика; № 2
  著者:: Гаман В. И.
  出版事項: (1967)
• Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 049
  著者:: Агафонников В. Ф.
  出版事項: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1968)
• К вопросу о переходных процессах в полупроводниковых диодах на высоких уровнях инъекции; Известия вузов. Физика; № 5
  著者:: Гаман В. И.
  出版事項: (1966)
• Набор мощных кремниемых диодов с барьером Шотки; Радиомир; № 1
  著者:: Киселёв В.
  出版事項: (2002)
• Влияние режима вплавления на физические параметры базы плоскостного кремневого диода; Известия вузов. Физика; № 4
  著者:: Кулиш У. М.
  出版事項: (1966)