Гаман В. И. & Зайдман С. А. (1967). Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах. 1967.
Cita Chicago (17th ed.)Гаман В. И. i Зайдман С. А. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах. 1967, 1967.
Cita MLA (9th ed.)Гаман В. И. i Зайдман С. А. Влияние скорости поверхностной рекомбинации на переходные процессы в кремниевых диодах. 1967, 1967.
Atenció: Aquestes cites poden no estar 100% correctes.