Влияние температуры облучения и примесных центров захвата на накопление электронных и дырочных центров захвата в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов - Кравец А. Н.; Минаев С. М.; Мелик-Гайказян И. Я.; Вайсбурд Д. И. (1966, 1966)