Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Bibliographic Details
Parent link:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528 № 3.— 2005.— С. 28-31
Other Authors:	Боярко Е. Ю., Малютин В. М. Василий Михайлович, Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Кощеев В. П.
Summary:	Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).
Language:	Russian
Published:	2005
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784

Similar Items

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10
Published: (1981)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; Сборник тезисов IV Всероссийской Баховской конференции по радиационной химии, Москва, Россия, 1-3 июня 2005 г.
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
by: Сычева А. В.
Published: (2014)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Пульсполярографическое и флуориметрическое определение серы в Ga, In, InP, InAs и As₂O₃: отдельный оттиск
Published: (Москва, [Б. и.], 1966)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Published: (2011)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Published: (Томск, 2024)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
by: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Published: (2015)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP; Control and Communications (SIBCON)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2016)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors; 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011
Published: (2011)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
by: Тихов С. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2008)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
by: Peshev V. V.
Published: (2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Published: (1977)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes; Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
by: Peshev V. V.
Published: (2006)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1983)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
by: Тяжлов В. С.
Published: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
by: Чижевич Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1974)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Published: (1976)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
by: Дорохин М. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Published: (2004)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Published: (Ташкент, Фан, 1979)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
by: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Published: (Москва, Физматлит, 2009)