Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Bibliographic Details
Parent link:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528 № 3.— 2005.— С. 28-31
Other Authors:	Боярко Е. Ю., Малютин В. М. Василий Михайлович, Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Кощеев В. П.
Summary:	Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).
Language:	Russian
Published:	2005
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784

Similar Items

Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs
Published: (1981)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)

Особенности введения и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
by: Сычева А. В.
Published: (2014)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Published: (Томск, 2010)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)

Defect formation into Schottky barrier on InP
by: Peshev V. V.
Published: (2006)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)

The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
Published: (2011)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes
by: Peshev V. V.
Published: (2006)

Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons
by: Peshev V. V.
Published: (2007)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs
Published: (1977)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs
Published: (2004)

Пульсполярографическое и флуориметрическое определение серы в Ga, In, InP, InAs и As₂O₃ отдельный оттиск
Published: (Москва, [Б. и.], 1966)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель
by: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Published: (2012)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2008)

Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного GaAs, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионнм пучком
Published: (2008)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2016)

Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения
Published: (2007)

Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field
Published: (1976)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1983)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Ли Цзень Фень
Published: (Томск, [Б. и.], 2006)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Published: (1998)

Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами
Published: (1979)

Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation
Published: (2009)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2011)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
by: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)