Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
| Parent link: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528 № 3.— 2005.— С. 28-31 |
|---|---|
| Övriga upphovsmän: | , , , |
| Sammanfattning: | Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100). |
| Språk: | ryska |
| Publicerad: |
2005
|
| Ämnen: | |
| Materialtyp: | Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784 |