Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
| Источник: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528 № 3.— 2005.— С. 28-31 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Примечания: | Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100). |
| Язык: | русский |
| Опубликовано: |
2005
|
| Предметы: | |
| Формат: | Статья |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784 |