Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100) - Боярко Е. Ю.; Малютин В. М. Василий Михайлович; Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич; Кощеев В. П. (2005, 2005)
Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).