Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Dettagli Bibliografici
Parent link:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528
№ 3.— 2005.— С. 28-31
Altri autori: Боярко Е. Ю., Малютин В. М. Василий Михайлович, Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Кощеев В. П.
Riassunto:Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).
Lingua:russo
Pubblicazione: 2005
Soggetti:
Natura: Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 575784
005 20240123130115.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\274803 
035 |a RU\TPU\prd\258920 
090 |a 575784 
100 |a 20180112a2005 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)  |f Е. Ю. Боярко, В. М. Малютин, Ю. Ю. Крючков, В. П. Кощеев 
330 |a Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100). 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1685  |x 0207-3528  |t Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования  |f Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН  |d 1996- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\107778  |t № 3  |v С. 28-31  |d 2005 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Боярко  |b Е. Ю. 
701 1 |a Малютин  |b В. М.  |c физик  |c старший преподаватель Томского политехнического университета  |f 1961-  |g Василий Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30227  |9 14607 
701 1 |a Крючков  |b Ю. Ю.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1945-  |g Юрий Юрьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25821  |9 11694 
701 1 |a Кощеев  |b В. П. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20101024 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20211116  |g RCR 
942 |c BK