Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100)

Bibliographic Details
Parent link:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528
№ 3.— 2005.— С. 28-31
Other Authors: Боярко Е. Ю., Малютин В. М. Василий Михайлович, Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Кощеев В. П.
Summary:Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).
Language:Russian
Published: 2005
Subjects:
труды учёных ТПУ
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784
Description
Summary:Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).

Similar Items