Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-.— 0207-3528 № 3.— 2005.— С. 28-31
Այլ հեղինակներ:	Боярко Е. Ю., Малютин В. М. Василий Михайлович, Крючков Ю. Ю. Юрий Юрьевич, Кощеев В. П.
Ամփոփում:	Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).
Լեզու:	ռուսերեն
Հրապարակվել է:	2005
Խորագրեր:	труды учёных ТПУ
Ձևաչափ:	Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=575784

Նկարագրություն
Ամփոփում:	Методом резерфордовского обратного рассеяния каналированных ионов (РОР/К) исследовалась дефектность эпитаксиальных пленок InP, выращенных на подложке CaAs (100).

Նմանատիպ նյութեր