MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 56517
005 20231101211617.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\59363 
090 |a 56517 
100 |a 20030930d1971 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики  |f Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов и др.  |g Академия Наук СССР; Институт полупроводников 
210 |a Ленинград  |c Наука  |d 1971 
215 |a 476 с.  |c ил. 
320 |a Библиография в конце глав. 
606 1 |a Сегнетоэлектрики  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\54329  |9 72486 
606 1 |a Антисегнетоэлектрики  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\29228 
610 1 |a физика 
610 1 |a термодинамика 
610 1 |a кристаллическая структура 
610 1 |a микроскопия 
610 1 |a симметрия 
610 1 |a симметрия 
610 1 |a проницаемость 
610 1 |a тепловые свойства 
610 1 |a решетки 
610 1 |a эффект Мессбауэра 
675 |a 537.226.4  |v 3 
701 1 |a Смоленский  |b Г. А.  |g Георгий Анатольевич 
701 1 |a Боков  |b В. А. 
701 1 |a Исупов  |b В. А. 
701 1 |a Крайник  |b Н. Н. 
701 1 |a Пасынков  |b Р. Е. 
701 1 |a Шур  |b М. С. 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Институт полупроводников (ИП)  |c (1954-1972)  |c (Ленинград)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1126 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030930  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190326  |g PSBO 
942 |c BK