|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
56323 |
| 005 |
20231031053328.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\59155
|
| 090 |
|
|
|a 56323
|
| 100 |
|
|
|a 20030927d1969 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Теория и расчет импульсных и усилительных схем на полупроводниковых приборах
|e Сборник статей
|h Вып. 1
|f Московский инженерно-физический институт; Под ред. Т. М. Агаханяна
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Атомиздат
|d 1969
|
| 215 |
|
|
|a 272 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 610 |
1 |
|
|a электроника
|
| 610 |
1 |
|
|a импульсные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a усилительные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a теория
|
| 610 |
1 |
|
|a расчет
|
| 610 |
1 |
|
|a ЦВМ
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторные элементы
|
| 610 |
1 |
|
|a экономичность
|
| 610 |
1 |
|
|a быстродействие
|
| 610 |
1 |
|
|a переходные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a применение
|
| 675 |
|
|
|a 621.385.831
|v 3
|
| 675 |
|
|
|a 621.374
|v 3
|
| 675 |
|
|
|a 621.375.4
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Агаханян
|b Т. М.
|g Татевос Мамиконович
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Московский инженерно-физический институт
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\105
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20030927
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20211209
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
