Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.

Dades bibliogràfiques
Altres autors:	Хогарт К. (редактор)
Idioma:	rus
Publicat:	Москва, Мир, 1968
Matèries:	полупроводниковые приборы материалы германий кремний селен антимонид индия теллурид висмута антимонид кадмия антимонид цинка
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=55991

Ítems similars

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Антимонид кадмия: библиографический указатель
per: Пономарев В. Ф.
Publicat: (Москва, 1981)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А2/3В5/2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Publicat: (Кемерово, [Б. и.], 2000)

Получение, исследование и применение легированных микрокристаллов антимонида индия для радиационно стойких сенсоров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Publicat: (2003)

Вып. 18; Физическая электроника
Publicat: (1979)

Физика и технология полупроводниковых приборов: [тематический сборник]
Publicat: (Москва, Изд-во МЭИ, 1975)

Физико-химические свойства и кинетика формирования границы раздела антимонид индия - анодный окисел в электролитах на основе этиленгликоля: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
per: Лезина Т. Д. Татьяна Дмитриевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1984)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1989)

О взаимодействии теллура с антимонидом алюминия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Скуднова Е. В.
Publicat: (Москва, 1960)

Полярографическое определение серы в порошках сурьмы и антимонида индия: отдельный оттиск
per: Каплан Б. Я.
Publicat: (Москва, [Б. и.], 1969)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)

ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicat: (2011)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
per: Войцеховский А. В.
Publicat: (2000)

Полупроводниковые материалы и приборы
Publicat: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Вып. 11
Publicat: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1962)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
per: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)

Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
per: Шумар С. В. Светлана Викторовна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 1995)

Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicat: (2011)

Т. 3; Справочник по электротехническим материалам
Publicat: (1976)

Технология производства полупроводниковых приборов
per: Гаврилов Р. А. Роман Александрович
Publicat: (Ленинград, Энергия, 1968)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2008)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2008)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2008)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Publicat: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
Publicat: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Publicat: (Киев, Наукова думка, 1977)

Быстрозатвердевшие легкоплавкие сплавы
per: Шепелевич В. Г.
Publicat: (Минск, БГУ, 2015)

Физика p - n-переходов
Publicat: (Рига, Зинатне, 1966)

Фотосопротивления в приборах промышленной автоматики
per: Гринштейн М. М. Марк Михайлович
Publicat: (Москва, Госэнергоиздат, 1962)

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicat: (2011)

Технология полупроводниковых материалов: учебное пособие
per: Александров С. Е. Сергей Евгеньевич
Publicat: (СПб., Лань, 2012)

Анализ полупроводниковых сплавов
Publicat: (Москва, Металлургия, 1975)

Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия
per: Гончаров Е. Г. Евгений Григорьевич
Publicat: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1989)

Физические процессы в полупроводниковых материалах и приборах
Publicat: (Москва, Изд-во МЭИ, 1986)