• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Модифицирование полупроводнико...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Модифицирование полупроводников пучками протонов

Модифицирование полупроводников пучками протонов

Bibliographic Details
Main Author: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Other Authors: Малкович Р. Ш. (340)
Language:Russian
Published: СПб., Наука, 2003
Subjects:
физика
полупроводники
ионно-стимулированные процессы
заряженные частицы
воздействия
трансмутационное легирование
радиационные дефекты
легирование
пористые слои
дефектные слои
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=54402
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Physical Description:268 с. ил.
ISBN:5020249882

Similar Items

  • Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников пер. с англ.
    Published: (Москва, Мир, 1982)
  • Легирование полупроводников методом ядерных реакций
    Published: (Новосибирск, Наука, 1981)
  • Комплекс нейтронно-трансмутационного легирования слитков кремния на реакторе ИРТ-Т
    by: Головацкий А. В. Алексей Васильевич
    Published: (2014)
  • Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
    Published: (Новосибирск, Наука, 1980)
  • Некоторые вопросы технологии нейронно-трансмутационного легирования слитков кремния с диаметром более 300 мм
    Published: (2007)