Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии

Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии

Bibliographic Details
Parent link:	Современные техника и технологии.— 1996.— С. 99-100.
Main Author:	Госсен А. И.
Language:	Russian
Published:	1996
Subjects:	труды учёных ТПУ
Format:	Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=52898

Similar Items

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
Published: (Москва, Металлургия, 1987)

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: пер. с англ.
by: Милнс А.
Published: (Москва, Мир, 1977)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография
by: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
Published: (Ташкент, Фан, 1981)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника: [сборник]
Published: (Ташкент, Фан, 1977)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Использование явления остаточной проводимости в высокоомных полупроводниках в импульсных фотоприемниках; Импульсная фотометрия; Вып. 4
Published: (1975)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
by: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Published: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 6
Published: (2022)

Как пьют глубокими глотками
by: Цветаева М. И.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2013)

Измерения в высокоомных цепях
by: Грибанов Ю. И. Юрий Иванович
Published: (Москва, Энергия, 1967)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)

Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
by: Байдусь Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2025)

Добыча нефти глубокими насосами: [оттиск]
by: Газиев Г. Н.
Published: (Баку, 1930)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
Published: (Томск, 2023)

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3
by: Ардышев В. М.
Published: (1998)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
by: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Published: (2015)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
by: Тяжлов В. С.
Published: (Саратов, СГУ, 2019)

Измерение напряжений в высокоомных цепях
by: Грибанов Ю. И. Юрий Иванович
Published: (Москва, Госэнергоиздат, 1961)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
by: Тихов С. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
by: Дорохин М. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Отбойка глубокими скважинами в вечномерзлых породах
by: Тыньянов Н. З.
Published: (Магадан, Изд-во ВНИИ-1, 1960)

Определение внутреннего динамического сопростивления сильноточных фотоприемников; Импульсная фотометрия; Вып. 6
by: Фокина Н. Н.
Published: (1979)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
by: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Published: (2012)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Published: (2004)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Published: (2004)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
by: Байдусь Н. В.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
by: Крылов П.Н.
Published: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Управление уровнями напряжения в распределительных электрических сетях Учебное пособие
by: Бушуева О.А. Ольга Александровна
Published: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2025)

Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков
by: Гороховатский Ю. А. Юрий Андреевич
Published: (Москва, Наука, 1991)

Технология обработки деталей с глубокими и узкими пазами
by: Миркин М. С. Моисей Самуилович
Published: (Москва, Машгиз, 1963)

Управление деформированием подрабатываемого массива горных пород глубокими щелями
by: Мартынов Ю. И. Юрий Иванович
Published: (Москва, Стройиздат, 1983)

Измерение амплитудно-временных параметров фотоприемников; Импульсная фотометрия; Вып. 7
by: Георгобиани А. Н.
Published: (1981)

Частотные характеристики неоднородно легированных фотоприемников; Импульсная фотометрия; Вып. 8
Published: (1984)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
by: Арефьев К. П. Константин Петрович
Published: (1983)