Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии

Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии

書誌詳細
Parent link:	Современные техника и технологии.— 1996.— С. 99-100.
第一著者:	Госсен А. И.
言語:	ロシア語
出版事項:	1996
主題:	труды учёных ТПУ
フォーマット:	図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=52898

類似資料

Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
出版事項: (Москва, Металлургия, 1987)

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями: монография
著者:: Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович
出版事項: (Ташкент, Фан, 1981)

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: пер. с англ.
著者:: Милнс А.
出版事項: (Москва, Мир, 1977)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版事項: (Томск, 1999)

Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника: [сборник]
出版事項: (Ташкент, Фан, 1977)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Толбанов О. П. Олег Петрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 1999)

Использование явления остаточной проводимости в высокоомных полупроводниках в импульсных фотоприемниках; Импульсная фотометрия; Вып. 4
出版事項: (1975)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
著者:: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
著者:: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
出版事項: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 6
出版事項: (2022)

Измерения в высокоомных цепях
著者:: Грибанов Ю. И. Юрий Иванович
出版事項: (Москва, Энергия, 1967)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
著者:: Нишизава Дж.-И.
出版事項: (2003)

Добыча нефти глубокими насосами: [оттиск]
著者:: Газиев Г. Н.
出版事項: (Баку, 1930)

Влияние различных видов отжига на свойства ионно-легированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs; Физика и химия обработки материалов; № 3
著者:: Ардышев В. М.
出版事項: (1998)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и El2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
著者:: Верхолетов М. Г. Максим Георгиевич
出版事項: (Томск, 2023)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
著者:: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
出版事項: (2015)

Измерение напряжений в высокоомных цепях
著者:: Грибанов Ю. И. Юрий Иванович
出版事項: (Москва, Госэнергоиздат, 1961)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
著者:: Тяжлов В. С.
出版事項: (Саратов, СГУ, 2019)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
著者:: Тихов С. В.
出版事項: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Отбойка глубокими скважинами в вечномерзлых породах
著者:: Тыньянов Н. З.
出版事項: (Магадан, Изд-во ВНИИ-1, 1960)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
著者:: Дорохин М. В.
出版事項: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2002)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)

Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
出版事項: (2004)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
出版事項: (2004)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2004)

Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
著者:: Упеникова А. О. Анна Олеговна
出版事項: (2012)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
著者:: Байдусь Н. В.
出版事項: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
著者:: Крылов П.Н.
出版事項: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)

Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков
著者:: Гороховатский Ю. А. Юрий Андреевич
出版事項: (Москва, Наука, 1991)

Управление деформированием подрабатываемого массива горных пород глубокими щелями
著者:: Мартынов Ю. И. Юрий Иванович
出版事項: (Москва, Стройиздат, 1983)

Технология обработки деталей с глубокими и узкими пазами
著者:: Миркин М. С. Моисей Самуилович
出版事項: (Москва, Машгиз, 1963)

Определение внутреннего динамического сопростивления сильноточных фотоприемников; Импульсная фотометрия; Вып. 6
著者:: Фокина Н. Н.
出版事項: (1979)

Электризация высокоомных материалов в мощных полях импульсной радиации
著者:: Куликов В. Д. Виктор Дмитриевич
出版事項: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 2004)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
著者:: Арефьев К. П. Константин Петрович
出版事項: (1983)

Управление уровнями напряжения в распределительных электрических сетях Учебное пособие
著者:: Бушуева О.А. Ольга Александровна
出版事項: (Вологда, Инфра-Инженерия, 2025)

Электроны проводимости
出版事項: (Москва, Наука, 1985)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版事項: (2009)

Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
出版事項: (1998)