Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии

Библиографические подробности
Источник:Современные техника и технологии.— 1996.— С. 99-100.
Главный автор: Госсен А. И.
Язык:русский
Опубликовано: 1996
Предметы:
Формат: Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=52898

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 52898
005 20231031043443.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\55469 
035 |a RU\TPU\book\55405 
090 |a 52898 
100 |a 20030609d1996 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями  |f А. И. Госсен 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\1535  |t Современные техника и технологии  |o Тезисы докладов 2-й областной научно-практической конференции молодежи и студентов  |f ТПУ  |v С. 99-100.  |d 1996  |p 128с 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
675 |a 62.002(063)  |v 3 
700 1 |a Госсен  |b А. И. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20030606  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20030609  |g PSBO 
942 |c BK