Госсен А. И. (1996). Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996.
Cita Chicago (17th ed.)Госсен А. И. Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996, 1996.
Cita MLA (9th ed.)Госсен А. И. Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996, 1996.
Atenció: Aquestes cites poden no estar 100% correctes.