Госсен А. И. (1996). Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996.
Chicago Style (17th ed.) CitationГоссен А. И. Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996, 1996.
MLA (9th ed.) CitationГоссен А. И. Определение проводимости высокоомных фоточуствительных слоев фотоприемников на основе GaAs, легированного примесями с глубокими уровнями; Современные техника и технологии. 1996, 1996.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.