|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
524917 |
| 005 |
20231218165634.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\207275
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\207145
|
| 090 |
|
|
|a 524917
|
| 100 |
|
|
|a 20131206a2001 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Особенности накачки лазера на парах меди и бромида меди
|f Г. С. Евтушенко [и др.]
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 708 (19 назв.)
|
| 330 |
|
|
|a Экспериментально исследованы генерация и особенности накачки лазера на парах меди с активным элементом "Кристалл" LT-40Cu (выпускается промышленно) и CuBr-лазера с экспериментальным активным элементом большого объема. Показано, что при средней мощности излучения до 50 Вт КПД лазеров относительно энергии, вложенной в активную среду во время полезной накачки, достигает 4%. Установлено, что стадии полезной накачки центральной части лазерной трубки предшествуют частичный пробой разрядного промежутка и зарядка паразитных емкостей. Отличительной чертой накачки CuBr-лазера по сравнению с Cu-лазером является то, что индуктивность подводов от генератора накачки к активному элементу и индуктивность генератора накачки могут быть увеличены, а средняя мощность излучения при этом не изменится.
|
| 461 |
|
0 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\212
|t Квантовая электроника
|f Российская академия наук (РАН), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)
|d 1971-
|
| 463 |
|
0 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\101767
|t Т. 31, № 8
|v С. 704-708
|d 2001
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Евтушенко
|b Г. С.
|c российский специалист в области электрофизики
|c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук
|f 1947-
|g Геннадий Сергеевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21960
|4 070
|9 9279
|
| 701 |
|
1 |
|a Костыря
|b И. Д.
|
| 701 |
|
1 |
|a Суханов
|b В. Б.
|c специалист в области электроники
|c инженер Томского политехнического университета
|f 1945-
|g Виктор Борисович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31231
|4 070
|
| 701 |
|
1 |
|a Тарасенко
|b В. Ф.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, дотор физико-математических наук
|f 1946-
|g Виктор Федотович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27995
|4 070
|
| 701 |
|
1 |
|a Шиянов
|b Д. В.
|c специалист в области промышленной и медицинской электроники
|c инженер Томского политехнического университета
|f 1973-
|g Дмитрий Валерьевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28811
|4 070
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20131205
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20131206
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
