Влияние состава газовой смеси и условий накачки на характеристики CuBr-Ne-H2(HBr) лазера; Квантовая электроника; Т. 37, № 1

Bibliographic Details
Parent link:Квантовая электроника/ Российская академия наук (РАН), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН).— , 1971-
Т. 37, № 1.— 2007.— С. 49-52
Other Authors: Шиянов Д. В. Дмитрий Валерьевич, Евтушенко Г. С. Геннадий Сергеевич, Суханов В. Б. Виктор Борисович, Федоров В. Ф.
Summary:Экспериментально установлены оптимальные давления активных примесей H2, HBr и рабочего вещества (бромид меди), позволяющие реализовать эффективную генерацию CuBr-лазера. Показано, что для достижения максимальных выходных характеристик лазера, реализуемых при увеличении напряжения на газоразрядной трубке и частоты следования импульсов накачки, требуется также увеличивать количество вводимой примеси. В то же время оптимальное давление бромида меди с повышением частоты уменьшается.
Language:Russian
Published: 2007
Subjects:
Format: Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=524791

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 524791
005 20231219163924.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\207138 
035 |a RU\TPU\prd\207106 
090 |a 524791 
100 |a 20131206a2007 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Влияние состава газовой смеси и условий накачки на характеристики CuBr-Ne-H2(HBr) лазера  |f Д. В. Шиянов [и др.] 
320 |a Библиогр.: с. 52 (15 назв.) 
330 |a Экспериментально установлены оптимальные давления активных примесей H2, HBr и рабочего вещества (бромид меди), позволяющие реализовать эффективную генерацию CuBr-лазера. Показано, что для достижения максимальных выходных характеристик лазера, реализуемых при увеличении напряжения на газоразрядной трубке и частоты следования импульсов накачки, требуется также увеличивать количество вводимой примеси. В то же время оптимальное давление бромида меди с повышением частоты уменьшается. 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\212  |t Квантовая электроника  |f Российская академия наук (РАН), Физический институт им. П. Н. Лебедева (ФИАН)  |d 1971- 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\101849  |t Т. 37, № 1  |v С. 49-52  |d 2007 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Шиянов  |b Д. В.  |c специалист в области промышленной и медицинской электроники  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1973-  |g Дмитрий Валерьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28811 
701 1 |a Евтушенко  |b Г. С.  |c российский специалист в области электрофизики  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1947-  |g Геннадий Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21960  |4 070  |9 9279 
701 1 |a Суханов  |b В. Б.  |c специалист в области электроники  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1945-  |g Виктор Борисович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31231  |4 070 
701 1 |a Федоров  |b В. Ф. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20131205 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20131206  |g RCR 
942 |c BK