Моделирование CuBr-Ne-HBr-лазера при высоких частотах следования импульсов накачки; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 9

Podrobná bibliografie
Parent link:Известия вузов. Физика/ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет.— , 1958-
Т. 55, № 9.— 2012.— С. 54-60
Další autoři: Торгаев С. Н. Станислав Николаевич, Бойченко А. М., Евтушенко Г. С. Геннадий Сергеевич, Шиянов Д. В. Дмитрий Валерьевич
Shrnutí:Выполнены сравнительные экспериментальные и модельные исследования CuBr-лазера, без добавок и с добавками HBr, при высоких частотах следования импульсов накачки. Проведенный анализ на основе численного моделирования позволил выявить механизм улучшения генерационных характеристик лазера при введении активной добавки (HBr) как при типичных частотах следования (10-20 кГц), так и при повышенных (до 100 кГц).
Jazyk:ruština
Vydáno: 2012
Témata:
Médium: Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=524755

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 524755
005 20240124102813.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\207060 
035 |a RU\TPU\prd\207039 
090 |a 524755 
100 |a 20131205a2012 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Моделирование CuBr-Ne-HBr-лазера при высоких частотах следования импульсов накачки  |f С. Н. Торгаев [и др.] 
320 |a Библиогр.: с. 59-60 (21 назв.) 
330 |a Выполнены сравнительные экспериментальные и модельные исследования CuBr-лазера, без добавок и с добавками HBr, при высоких частотах следования импульсов накачки. Проведенный анализ на основе численного моделирования позволил выявить механизм улучшения генерационных характеристик лазера при введении активной добавки (HBr) как при типичных частотах следования (10-20 кГц), так и при повышенных (до 100 кГц). 
461 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |t Известия вузов. Физика  |f Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ; Томский Госуниверситет  |d 1958- 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\158605  |t Т. 55, № 9  |v С. 54-60  |d 2012 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Торгаев  |b С. Н.  |c специалист в области электроники  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |c младший научный сотрудник Института оптики атмосферы СО РАН  |f 1984-  |g Станислав Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25908  |4 070  |9 11759 
701 1 |a Бойченко  |b А. М. 
701 1 |a Евтушенко  |b Г. С.  |c российский специалист в области электрофизики  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1947-  |g Геннадий Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21960  |4 070  |9 9279 
701 1 |a Шиянов  |b Д. В.  |c специалист в области промышленной и медицинской электроники  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1973-  |g Дмитрий Валерьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28811  |4 070 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20131205 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20131205  |g RCR 
942 |c BK