Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Шашурин В. Д.
Weitere Verfasser:	Малышев К. В., Мешков С. А., Скороходов Е. А., Нарайкин О. С.
Zusammenfassung:	Рекомендовано Научно методическим советом МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве учебного пособия Настоящее издание соответствует учебной программе курса «Специ) альные технологические методы в нанотехнологии». Рассматриваются методы выращивания 2D)наноструктур (наносло) ев), 1D)наноструктур (нанонитей) и 0D)наноструктур (наночастиц) с по) мощью молекулярно)лучевой эпитаксии для их применения в нано) приборах радиоэлектронных систем. Для студентов 6)го курса приборостроительных специальностей. Книга из коллекции МГТУ им. Н.Э. Баумана - Инженерно-технические науки
Veröffentlicht:	Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009
Schlagworte:	наноструктуры применение наноструктур молекулярно)лучевая эпитаксия изготовление наноструктур установка молекулярно)лучевой эпитаксии рабочий объем эффузионные ячейки картины на экране дифракции быстрых электронов подготовка подложки измерение скорости роста измерение потока ионизационной лампой колебания интенсивности на экране дифракции быстрых электронов поведение частиц рост слоев al x ga 1 x as избыточное давление паров as поверхностная подвижность al поверхностная подвижность ga опорная температура дельта)легирование сегрегация легирующей примеси сублимационная молекулярно)лучевая эпитаксия легирование кремния эрбием легирование algaas железом млэ)рост 2 d)наноструктур нанослои плазменная активация нанослои gan нанослои aln нанослои ingaasn нанослои hgcdte нанослои znmgse млэ)рост 1 d)наноструктур нанонитей нанонити gaas с катализатором au нанонити gaas на подложке si нанонити znte на подложке gaas млэ)рост 0 d)наноструктур наночастиц наночастицы ge наночастицы inas
Online-Zugang:	http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=52157 https://e.lanbook.com/img/cover/book/52157.jpg
Format:	Elektronisch Buch