Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Шашурин В. Д.
Weitere Verfasser: Малышев К. В., Мешков С. А., Скороходов Е. А., Нарайкин О. С.
Zusammenfassung:Рекомендовано Научно методическим советом МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве учебного пособия
Настоящее издание соответствует учебной программе курса «Специ) альные технологические методы в нанотехнологии». Рассматриваются методы выращивания 2D)наноструктур (наносло) ев), 1D)наноструктур (нанонитей) и 0D)наноструктур (наночастиц) с по) мощью молекулярно)лучевой эпитаксии для их применения в нано) приборах радиоэлектронных систем. Для студентов 6)го курса приборостроительных специальностей.
Книга из коллекции МГТУ им. Н.Э. Баумана - Инженерно-технические науки
Veröffentlicht: Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009
Schlagworte:
Online-Zugang:http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=52157
https://e.lanbook.com/img/cover/book/52157.jpg
Format: Elektronisch Buch

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 i 4500
001 52157
100 |a 20250516d2009 k y0rusy01020304ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y j 000zy 
106 |a z 
200 1 |a Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ  |b Электронный ресурс  |f Шашурин В. Д.,Малышев К. В.,Мешков С. А.,Скороходов Е. А.,Нарайкин О. С. 
210 |a Москва  |b Москва  |c МГТУ им. Н.Э. Баумана  |d 2009 
215 |a 42 с. 
300 |a Рекомендовано Научно методическим советом МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве учебного пособия 
330 |a Настоящее издание соответствует учебной программе курса «Специ) альные технологические методы в нанотехнологии». Рассматриваются методы выращивания 2D)наноструктур (наносло) ев), 1D)наноструктур (нанонитей) и 0D)наноструктур (наночастиц) с по) мощью молекулярно)лучевой эпитаксии для их применения в нано) приборах радиоэлектронных систем. Для студентов 6)го курса приборостроительных специальностей. 
333 |a Книга из коллекции МГТУ им. Н.Э. Баумана - Инженерно-технические науки 
610 0 |a наноструктуры 
610 0 |a применение наноструктур 
610 0 |a молекулярно)лучевая эпитаксия 
610 0 |a изготовление наноструктур 
610 0 |a установка молекулярно)лучевой эпитаксии 
610 0 |a рабочий объем 
610 0 |a эффузионные ячейки 
610 0 |a картины на экране дифракции быстрых электронов 
610 0 |a подготовка подложки 
610 0 |a измерение скорости роста 
610 0 |a измерение потока ионизационной лампой 
610 0 |a колебания интенсивности на экране дифракции быстрых электронов 
610 0 |a поведение частиц 
610 0 |a рост слоев al x ga 1 x as 
610 0 |a избыточное давление паров as 
610 0 |a поверхностная подвижность al 
610 0 |a поверхностная подвижность ga 
610 0 |a опорная температура 
610 0 |a дельта)легирование 
610 0 |a сегрегация легирующей примеси 
610 0 |a сублимационная молекулярно)лучевая эпитаксия 
610 0 |a легирование кремния эрбием 
610 0 |a легирование algaas железом 
610 0 |a млэ)рост 2 d)наноструктур 
610 0 |a нанослои 
610 0 |a плазменная активация 
610 0 |a нанослои gan 
610 0 |a нанослои aln 
610 0 |a нанослои ingaasn 
610 0 |a нанослои hgcdte 
610 0 |a нанослои znmgse 
610 0 |a млэ)рост 1 d)наноструктур 
610 0 |a нанонитей 
610 0 |a нанонити gaas с катализатором au 
610 0 |a нанонити gaas на подложке si 
610 0 |a нанонити znte на подложке gaas 
610 0 |a млэ)рост 0 d)наноструктур 
610 0 |a наночастиц 
610 0 |a наночастицы ge 
610 0 |a наночастицы inas 
675 |a 621.38(075.8) 
686 |a 32.85  |2 rubbk 
700 1 |a Шашурин  |b В. Д. 
701 1 |a Малышев  |b К. В. 
701 1 |a Мешков  |b С. А. 
701 1 |a Скороходов  |b Е. А. 
701 1 |a Нарайкин  |b О. С. 
801 1 |a RU  |b Издательство Лань  |c 20250516  |g RCR 
856 4 |u http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=52157 
856 4 1 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/52157.jpg 
953 |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/52157.jpg