Контроль процесса выращивания монокристаллов дифосфида цинка-германия инверсионно-вольтамперическим, химико-атомноэмиссионным и активационным методами; Высокочистые вещества; № 3

Контроль процесса выращивания монокристаллов дифосфида цинка-германия инверсионно-вольтамперическим, химико-атомноэмиссионным и активационным методами; Высокочистые вещества; № 3

Bibliografiset tiedot
Parent link:Высокочистые вещества: научный журнал/ Академия наук СССР (АН СССР).— , 1987-1996.— 0235-0122
№ 3.— 1988.— С. 151-157
Muut tekijät: Хаханина Т. И. Татьяна Ивановна, Клюева Т. Б. Татьяна Борисовна, Обливанцев А. Н., Рыбасов А. Г., Каплин А. А. Анатолий Александрович, Кашкан Г. В. Галина Валериановна, Пичугина В. М. Валентина Максимовна
Kieli:venäjä
Julkaistu: 1988
Aiheet:
труды учёных ТПУ
Aineistotyyppi: Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=510293

Samankaltaisia teoksia

Samankaltaisia teoksia