Резонанс в эффективности формирования проводящего состояния кристаллического кварца ионной бомбардировкой; Письма в Журнал технической физики; Т. 26, вып. 19

Opis bibliograficzny
Parent link:Письма в Журнал технической физики/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН.— , 1975-
Т. 26, вып. 19.— 2000.— С. 24-29
1. autor: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Kolejni autorzy: Франгульян Т. С. Тамара Семёновна
Streszczenie:При ионном облучении кристаллич. кварца обнаружен резонанс в зависимости электропроводности от величины массового числа бомбардирующих ионов. Резонанс имеет место при оптимальном соотношении потерь энергии на ядерное и электронное торможение взаимодействующих с кристаллич. кварцем ионов в области значений их массового числа 35-45 u
Język:rosyjski
Wydane: 2000
Hasła przedmiotowe:
Format: Rozdział
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506810

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 506810
005 20231101103313.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\177935 
035 |a RU\TPU\prd\102460 
090 |a 506810 
100 |a 20130520a2000 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Резонанс в эффективности формирования проводящего состояния кристаллического кварца ионной бомбардировкой  |f В. Ф. Пичугин, Т. С. Франгульян 
330 |a При ионном облучении кристаллич. кварца обнаружен резонанс в зависимости электропроводности от величины массового числа бомбардирующих ионов. Резонанс имеет место при оптимальном соотношении потерь энергии на ядерное и электронное торможение взаимодействующих с кристаллич. кварцем ионов в области значений их массового числа 35-45 u 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\486  |t Письма в Журнал технической физики  |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ) ; Отделение общей физики и астрономии РАН  |d 1975- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\102436  |t Т. 26, вып. 19  |v С. 24-29  |d 2000 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Пичугин  |b В. Ф.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1944-  |g Владимир Федорович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 
701 1 |a Франгульян  |b Т. С.  |c росиийскиё учёный в области электроники, диэлектриков и полупроводников  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета  |g Тамара Семёновна  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20021105  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130520  |g RCR 
942 |c BK