Действие ионного облучения на электрические свойства кристаллов ниобата лития, легированных MgO; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 8

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/ Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН.— , 1996-
№ 8.— 2005.— С. 94-96
Yazar: Булычева А. А.
Diğer Yazarlar: Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Özet:Исследовано влияние примеси MgO на эффективность процесса формирования проводящих слоев под действием ионной бомбардировки. Кристаллы чистого LiNbO[3] (LN) и LiNbO[3] с примесями MgO (0-10 мол.%) (MLN) облучались ионами Ar{+} с энергией 150 эВ флуенсом 10{16} ион/см{2} при комн. температуре. В результате облучения имеет место рост поверхн. проводимости σ[s] более чем на 6 порядков. Резкое изменение электропроводности ионно-облученных кристаллов и энергии активации происходит при достижении концентрации примеси [Mg][C], равной критической (6 мол.%). Исследовано влияние окислительно-восстановительных условий термич. обработки на проводимость ионно-модифицированных слоев кристаллов ниобата лития. проводимость облученных слоев носит электронный характер. Для кристаллов с [Mg]<[Mg][C] основным механизмом переноса заряда являются прыжки носителей по локализованным состояниям. В кристаллах с [Mg]>[Mg][C] проводимость связана с носителями, возбужденными в делокализованные состояния
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: 2005
Konular:
Materyal Türü: MixedMaterials Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=506616

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 506616
005 20231101103248.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\prd\177690 
035 |a RU\TPU\prd\177561 
090 |a 506616 
100 |a 20130516a2005 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Действие ионного облучения на электрические свойства кристаллов ниобата лития, легированных MgO  |f А. А. Булычева, В. Ф. Пичугин 
330 |a Исследовано влияние примеси MgO на эффективность процесса формирования проводящих слоев под действием ионной бомбардировки. Кристаллы чистого LiNbO[3] (LN) и LiNbO[3] с примесями MgO (0-10 мол.%) (MLN) облучались ионами Ar{+} с энергией 150 эВ флуенсом 10{16} ион/см{2} при комн. температуре. В результате облучения имеет место рост поверхн. проводимости σ[s] более чем на 6 порядков. Резкое изменение электропроводности ионно-облученных кристаллов и энергии активации происходит при достижении концентрации примеси [Mg][C], равной критической (6 мол.%). Исследовано влияние окислительно-восстановительных условий термич. обработки на проводимость ионно-модифицированных слоев кристаллов ниобата лития. проводимость облученных слоев носит электронный характер. Для кристаллов с [Mg]<[Mg][C] основным механизмом переноса заряда являются прыжки носителей по локализованным состояниям. В кристаллах с [Mg]>[Mg][C] проводимость связана с носителями, возбужденными в делокализованные состояния 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\1685  |t Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования  |f Российская академия наук (РАН) ; Отделение физических наук РАН  |d 1996- 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\107785  |t № 8  |v С. 94-96  |d 2005 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Булычева  |b А. А. 
701 1 |a Пичугин  |b В. Ф.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1944-  |g Владимир Федорович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20130515 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130516  |g RCR 
942 |c BK