Ионный синтез пленок твердого раствора [Ga1-xInxAs]; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2 - Ардышев М. В. (Физика полупроводников и диэлектриков, 2004)
Методами резерфордовского обратного рассеяния, оптич. поглощения и конденсаторной фото-э. д. с. исследовано соединение Ga1-xInxAs, полученное имплантацией ионов In (100 кэВ, (0,45-6)×1017см-2) с последующим термическим (800°C, 15 мин) или высокоэнергетическим электронным (1 МэВ, 0,6 мА×см-2, 660°C, 16 с) отжигами. Показано, что с увеличением дозы имплантации x возрастает от 0,07 до 0,21, ширина запрещенной зоны уменьшается от 1,34 до 1,21 эВ. Уменьшается также потенциал поверхности с 0,79 до 0,58 В. Отмечается высокая эффективность электронного отжига