Диффузия магния в кристаллах LiF в условиях радиационно-термического нагрева - Суржиков А. П. Анатолий Петрович; Чернявский А. В. Александр Викторович; Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич; Франгульян Т. С. Тамара Семёновна (2004, 2004)
Представлены результаты исследований методом масс-спектрометрии вторичных ионов высокотемпературной диффузии гетеровалентного катиона магния в кристаллы LiF, осуществляемой из пленки фторида магния при интенсивном электронном облучении. Показано, что диффузионный отжиг, реализованный с помощью пучка ускоренных электронов, практически не влияет на диффузию ионов Mg в LiF во всем исследованном интервале температур 870-1073 К. Проведено сопоставление этих данных с ранее полученными результатами по стимулирующему действию радиации на диффузию магния из металлич. пленки в KBr. Показано, что установленные отличия в эффектах воздействия радиации на диффузионный процесс в кристаллах LiF и KBr, не поддаются интерпретации в рамках единого механизма диффузии примеси. Отсутствие эффекта радиационной стимуляции диффузии (РСД) в кристаллах LiF объяснено высокой исходной диффузионной активностью магния в области высоких температур и согласуется с выполненными оценками эффективности наиболее реальных механизмов РСД в щелочно-галоидных кристаллах. Предполагается, что из-за окисления металлич. магния при отжиге кристаллов KBr диффузионная активность примеси резко снижается, что позволило наблюдать позитивный эффект РСД