|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494057 |
| 005 |
20240215121347.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163566
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\prd\163516
|
| 090 |
|
|
|a 494057
|
| 100 |
|
|
|a 20121221a2004 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Диффузия магния в кристаллах LiF в условиях радиационно-термического нагрева
|f А. П. Суржиков [и др.]
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 12 назв.
|
| 330 |
|
|
|a Представлены результаты исследований методом масс-спектрометрии вторичных ионов высокотемпературной диффузии гетеровалентного катиона магния в кристаллы LiF, осуществляемой из пленки фторида магния при интенсивном электронном облучении. Показано, что диффузионный отжиг, реализованный с помощью пучка ускоренных электронов, практически не влияет на диффузию ионов Mg в LiF во всем исследованном интервале температур 870-1073 К. Проведено сопоставление этих данных с ранее полученными результатами по стимулирующему действию радиации на диффузию магния из металлич. пленки в KBr. Показано, что установленные отличия в эффектах воздействия радиации на диффузионный процесс в кристаллах LiF и KBr, не поддаются интерпретации в рамках единого механизма диффузии примеси. Отсутствие эффекта радиационной стимуляции диффузии (РСД) в кристаллах LiF объяснено высокой исходной диффузионной активностью магния в области высоких температур и согласуется с выполненными оценками эффективности наиболее реальных механизмов РСД в щелочно-галоидных кристаллах. Предполагается, что из-за окисления металлич. магния при отжиге кристаллов KBr диффузионная активность примеси резко снижается, что позволило наблюдать позитивный эффект РСД
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\485
|t Перспективные материалы
|d 1996-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\93959
|t № 2
|v С. 77-82
|d 2004
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Суржиков
|b А. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1951-
|g Анатолий Петрович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010
|9 9307
|
| 701 |
|
1 |
|a Чернявский
|b А. В.
|c специалист в области электроники
|c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук
|f 1966-
|g Александр Викторович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26556
|
| 701 |
|
1 |
|a Гынгазов
|b С. А.
|c специалист в области электроники
|c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук
|f 1958-
|g Сергей Анатольевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531
|9 12225
|
| 701 |
|
1 |
|a Франгульян
|b Т. С.
|c специалист в области электроники, диэлектриков и полупроводников
|c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук
|f 1940-
|g Тамара Семёновна
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101024
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160624
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
