Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 11

Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 18, вып. 11.— 1984.— С. 2061-2065
Tác giả khác:	Черданцев Ю. П. Юрий Петрович, Чернов И. П. Иван Петрович, Тимошников Ю. А., Коротченко В. А., Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Tóm tắt:	Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	1984
Những chủ đề:	труды учёных ТПУ
Định dạng:	Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494047

Những quyển sách tương tự

Эффект малых доз ионизирующего излучения
Bằng: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Được phát hành: (Томск, Дельтаплан, 2009)

Эффект малых доз ионизирующего излучения
Bằng: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Được phát hành: (Москва, Энергоатомиздат, 2001)

Анализ эффектов действия малых доз ионизирующего излучения; Медицинская техника; № 2
Được phát hành: (2002)

Образование собственных дефектов в кварцевых стеклах под действием оптического излучения; Оптические и спектральные свойства стекол
Bằng: Овчаров А. Т.
Được phát hành: (1986)

Измерение запасенной энергии в щелочногалоидных кристаллах под действием Y-излучения; Действие излучений на свойства материалов
Bằng: Кузьмина А. В.
Được phát hành: (1963)

Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов
Bằng: Ривлин Л. А. Лев Абрамович
Được phát hành: (Москва, Советское радио, 1976)

Ионизационное ускорение преобразования центров окраски в области малых доз излучения; Журнал технической физики; Т. 55, вып. 10
Bằng: Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Được phát hành: (1985)

Накопление катионных френнелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах под действием электронного облучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Bằng: Биплер В. К. Владимир Константинович
Được phát hành: (Томск, [Б. и.], 1977)

Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров
Bằng: Ривлин Л. А. Лев Абрамович
Được phát hành: (Москва, Радио и связь, 1983)

Флуктуации в динамических системах под действием малых случайных возмущений: [монография]
Bằng: Вентцель А. Д. Александр Дмитриевич
Được phát hành: (Москва, Наука, 1979)

Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения); Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 1
Bằng: Чернов И. П. Иван Петрович
Được phát hành: (2000)

Поляризационный эффект аннигиляции позитронов в ионных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 21, № 8
Được phát hành: (1979)

Накопление электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Радиационная физика неметаллических кристаллов
Bằng: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Được phát hành: (1967)

Изучение зарядового состояния примесных атомов в полупроводниковых материалах методом аннигиляции позитронов; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 8
Được phát hành: (1977)

Моделирование разрушения биологических объектов под действием ионизирующего излучения; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 11/2 (приложение)
Bằng: Галанов Ю. И. Юрий Иванович
Được phát hành: (2014)

Метод позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых материалов; Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика; Гл. IV, § 3
Bằng: Арефьев К. П. Константин Петрович
Được phát hành: (1978)

Исследование дефектов водородного происхождения методом электрон-позитронной аннигиляции; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Được phát hành: (2006)

Об аннигиляции позитронов в кристаллах с дефектной структурой; Химическая связь в кристаллах и их физические свойства; Т. 2
Được phát hành: (1976)

Определение эффективных доз диагностического рентгеновского излучения по результатам измерений поглощенных доз в воздухе; АНРИ; Аппаратура и новости радиационных измерений; № 3
Bằng: Фрид Е. С.
Được phát hành: (2003)

Применение аналитического метода обработки анализов периферической крови для установления действия на организм малых доз излучения; Медицинская техника; № 2
Được phát hành: (2003)

Взаимодействие дефектов в кристаллах: учебное пособие
Bằng: Ковтуненко П. В. Павел Васильевич
Được phát hành: (Москва, Изд-во МХТИ, 1986)

Накопление электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов; Первое совещание по радиационной физике твердого тела
Bằng: Вайсбурд Д. И.
Được phát hành: (1965)

Диффузия водорода в металлах под действием ионизирующего и акустического излучения
Bằng: Гаранин Г. В. Георгий Викторович
Được phát hành: (Томск, 2010)

Спектроскопия дефектов в молекулярных кристаллах
Bằng: Остапенко Н. И. Нина Ивановна
Được phát hành: (Киев, Наукова думка, 1988)

Излучательная рекомбинация в полупроводниковых кристаллах
Được phát hành: (Москва, Наука, 1973)

Расчёт поглощённой доз ионизирующего излучения в пленкой ПВДФ; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Bằng: Чжан Юй
Được phát hành: (2017)

Моделирование разрушения биологических объектов под действием ионизирующего излучения; Физико-технические проблемы атомной науки, энергетики и промышленности
Bằng: Галанов Ю. И. Юрий Иванович
Được phát hành: (2014)

Влияние излучения на диффузионные процессы в кристаллах; Конференция "Изменение свойств материалов под действием излучений"
Bằng: Зленко В. Я.
Được phát hành: (1961)

Разложение монокристаллов AgN3 под действием ренгеновского излучения; Известия вузов. Химия и химическая технология; Т. 13, № 11
Bằng: Захаров Ю. А. Юрий Александрович
Được phát hành: (1970)

Исследование дефектов структуры пиронитрида бора методами аннигиляции позитронов и рентгеноструктурного анализа; Физика твердого тела; Т. 26, № 10
Được phát hành: (1984)

Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 8
Được phát hành: (1983)

Измерение порога оптического пробоя прозрачных диэлектриков под действием импульсов лазерного излучения
Bằng: Локтионов Е. Ю.
Được phát hành: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2019)

Вопросы теории дефектов в кристаллах: сборник научных трудов
Được phát hành: (Ленинград, Наука, 1987)

Упругие модели дефектов в кристаллах: пер. с англ.
Bằng: Теодосиу К. Кристиан
Được phát hành: (Москва, Мир, 1985)

Создание и преобразование дефектов в KCl-Tl при аннигиляции электронных возбуждений; Экситоны в широкощелевых диэлектриках
Được phát hành: (1983)

Накопление F-центров в кристаллах KCL-KH под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Bằng: Бикбаева З. Г. Зульфа Гадильзановна
Được phát hành: (Томск, 1986)

Кинетика накопления электронных центров в щелочногалоидных кристаллах под действием протонов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Bằng: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Được phát hành: (Ташкент, [Б. и.], 1966)

Динамика полупроводниковых лазеров учебное пособие для вузов
Bằng: Шаховой Р. А.
Được phát hành: (Санкт-Петербург, Лань, 2024)

Оценка ширины валентной зоны в кристаллах посредством метода электрон-позитронной аннигиляции; Физика твердого тела; Т. 27, № 12
Được phát hành: (1985)

Аппаратура для измерения доз в кристаллах при облучении электронным пучком; Действие излучений на свойства материалов; Вып. 2
Bằng: Кононов Б. А. Борис Александрович
Được phát hành: (1963)