Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения

Dades bibliogràfiques
Parent link:Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968-
Т. 18, вып. 11.— 1984.— С. 2061-2065
Altres autors: Черданцев Ю. П. Юрий Петрович, Чернов И. П. Иван Петрович, Тимошников Ю. А., Коротченко В. А., Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Sumari:Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.
Idioma:rus
Publicat: 1984
Matèries:
Format: Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494047

Ítems similars