Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 11
| Parent link: | Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 18, вып. 11.— 1984.— С. 2061-2065 |
|---|---|
| Andre forfattere: | , , , , |
| Summary: | Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов. |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
1984
|
| Fag: | |
| Format: | Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494047 |