Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения - Черданцев Ю. П. Юрий Петрович; Чернов И. П. Иван Петрович; Тимошников Ю. А.; Коротченко В. А.; Мамонтов А. П. Аркадий Павлович (1984, 1984)
Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.