|
|
|
|
| LEADER |
00000naa2a2200000 4500 |
| 001 |
494047 |
| 005 |
20250917071652.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\prd\163554
|
| 090 |
|
|
|a 494047
|
| 100 |
|
|
|a 20121221a1984 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 200 |
1 |
|
|a Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения
|f Ю. П. Черданцев [и др.]
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: 9 назв.
|
| 330 |
|
|
|a Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\403
|t Физика и техника полупроводников
|f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)
|d 1968-
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\prd\156206
|t Т. 18, вып. 11
|v С. 2061-2065
|d 1984
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 701 |
|
1 |
|a Черданцев
|b Ю. П.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1954-
|g Юрий Петрович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27875
|
| 701 |
|
1 |
|a Чернов
|b И. П.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1935-2025
|g Иван Петрович
|x TPU
|y Томск
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\12909
|9 3694
|
| 701 |
|
1 |
|a Тимошников
|b Ю. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Коротченко
|b В. А.
|
| 701 |
|
1 |
|a Мамонтов
|b А. П.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического университета
|c Заслуженный изобретатель РФ
|f 1934-
|g Аркадий Павлович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\21984
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20121221
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
