Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения

Библиографические подробности
Источник:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 18, вып. 11.— 1984.— С. 2061-2065
Другие авторы:	Черданцев Ю. П. Юрий Петрович, Чернов И. П. Иван Петрович, Тимошников Ю. А., Коротченко В. А., Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Примечания:	Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.
Язык:	русский
Опубликовано:	1984
Предметы:	труды учёных ТПУ
Формат:	Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494047

Описание
Примечания:	Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.

Схожие документы