Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз излучения; Физика и техника полупроводников; Т. 18, вып. 11

Detalhes bibliográficos
Parent link:	Физика и техника полупроводников/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ).— , 1968- Т. 18, вып. 11.— 1984.— С. 2061-2065
Outros Autores:	Черданцев Ю. П. Юрий Петрович, Чернов И. П. Иван Петрович, Тимошников Ю. А., Коротченко В. А., Мамонтов А. П. Аркадий Павлович
Resumo:	Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.
Idioma:	russo
Publicado em:	1984
Assuntos:	труды учёных ТПУ
Formato:	Capítulo de Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=494047

Descrição
Resumo:	Приводятся результаты тепловых измерений в процессе облучения дефектных полупроводниковых кристаллов γ-квантами. Подъем т-ры кристалла за счет выделяемой при аннигиляции дефектов энергии составляет 2.6 К. Малое тепловыделение объясняется поглощением энергии аннигиляции скоплениями дефектов.

Registos relacionados